[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210553406.7
• 申請(qǐng)日: 2019-01-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114883323B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉田一磨;大河亮介;井上翼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新唐科技日本株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06;H01L29/78;H01L23/31;H10N97/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 高迪

本公開(kāi)涉及的一種半導(dǎo)體裝置是面朝下安裝芯片尺寸封裝型的半導(dǎo)體裝置，在電池的充放電電路中，被用于1A以上的瞬時(shí)充放電的電流控制，且該半導(dǎo)體裝置在硅基板上形成有多個(gè)元件，所述半導(dǎo)體裝置具有串聯(lián)連接電路，該串聯(lián)連接電路由相互并聯(lián)連接的多個(gè)電阻元件、與在所述瞬時(shí)充放電時(shí)瞬時(shí)成為導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管元件不經(jīng)由其他元件地串聯(lián)連接而成，所述半導(dǎo)體裝置的厚度是250μm以上，構(gòu)成所述串聯(lián)連接電路的全部元件被形成在所述硅基板上。

本申請(qǐng)是2019年1月25日提交的，中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)枮?01980011546.8(國(guó)際申請(qǐng)?zhí)朠CT/JP2019/002567)，發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體裝置”的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裝置，尤其涉及CSP(Chip?Size?Package：芯片尺寸封裝)型的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

以往已知的放電控制用的半導(dǎo)體裝置具有一個(gè)晶體管元件、以及限制放電時(shí)的電流的一個(gè)電阻元件(例如，參考專利文獻(xiàn)1)。

(現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn))

(專利文獻(xiàn))

專利文獻(xiàn)1∶國(guó)際公開(kāi)第WO2015/166654號(hào)

在所述以往的半導(dǎo)體裝置中，放電電流控制用的電阻元件只有一個(gè)，在半導(dǎo)體裝置上，放電控制時(shí)的發(fā)熱位置，只存在于配置有電阻元件的局部區(qū)域。在這個(gè)情況下，該局部區(qū)域的溫度超過(guò)半導(dǎo)體裝置的允許動(dòng)作溫度，會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置破壞。此外對(duì)產(chǎn)生的熱進(jìn)行散熱時(shí)，將局部區(qū)域發(fā)生的熱向其周圍區(qū)域傳熱是不容易的，所以散熱效率不佳。

發(fā)明內(nèi)容

于是，本公開(kāi)的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，在放電控制時(shí)，能夠?qū)㈦娮柙陌l(fā)熱最高溫度比以往降低，并且能夠比以往高效地進(jìn)行散熱。

本公開(kāi)涉及的一種半導(dǎo)體裝置是面朝下安裝芯片尺寸封裝型的半導(dǎo)體裝置，在電池的充放電電路中，被用于1A以上的瞬時(shí)充放電的電流控制，該半導(dǎo)體裝置在硅基板上形成有多個(gè)元件，所述半導(dǎo)體裝置具有串聯(lián)連接電路，該串聯(lián)連接電路由相互并聯(lián)連接的多個(gè)電阻元件、與在所述瞬時(shí)充放電時(shí)瞬時(shí)成為導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管元件不經(jīng)由其他元件地串聯(lián)連接而成，所述半導(dǎo)體裝置的厚度是250μm以上，構(gòu)成所述串聯(lián)連接電路的全部元件被形成在所述硅基板上。

本公開(kāi)涉及的一種半導(dǎo)體裝置是面朝下安裝芯片尺寸封裝型的半導(dǎo)體裝置，在電池的充放電電路中，被用于1A以上的瞬時(shí)充放電的電流控制，且該半導(dǎo)體裝置在硅基板上形成有多個(gè)元件，所述半導(dǎo)體裝置具有串聯(lián)連接電路，該串聯(lián)連接電路由相互并聯(lián)連接的多個(gè)電阻元件、與在所述瞬時(shí)充放電時(shí)瞬時(shí)成為導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管元件不經(jīng)由其他元件地串聯(lián)連接而成，所述半導(dǎo)體裝置的體積是1.94mm³以上，構(gòu)成所述串聯(lián)連接電路的全部元件被形成在所述硅基板上。

本公開(kāi)涉及的一種半導(dǎo)體裝置是面朝下安裝芯片尺寸封裝型的半導(dǎo)體裝置，具有晶體管元件以及多個(gè)第1電阻元件，所述晶體管元件具有第1電極、第2電極、以及對(duì)所述第1電極與所述第2電極之間的導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行控制的控制電極，所述多個(gè)第1電阻元件的一方的電極，均與所述第2電極電連接，所述半導(dǎo)體裝置具有一個(gè)以上的外部電阻端子、與所述第1電極電連接的外部第1端子、以及與所述控制電極電連接的外部控制端子，所述多個(gè)第1電阻元件的另一方的電極均與所述一個(gè)以上的外部電阻端子中的任一個(gè)接觸連接，所述一個(gè)以上的外部電阻端子、所述外部第1端子、以及所述外部控制端子，是被形成在所述半導(dǎo)體裝置的表面的外部連接端子。

通過(guò)該構(gòu)成，將成為發(fā)熱源的第1電阻元件并列地排列多個(gè)，所以在放電控制時(shí)，發(fā)熱位置被分散在配置有多個(gè)第1電阻元件的位置，并且各個(gè)第1電阻元件中發(fā)熱最高溫度能夠比以往減少。從而既能防止在放電控制時(shí)的半導(dǎo)體裝置破壞，又能對(duì)半導(dǎo)體裝置的發(fā)熱比以往高效地進(jìn)行散熱。

通過(guò)本公開(kāi)涉及的半導(dǎo)體裝置，既能防止在放電控制時(shí)的半導(dǎo)體裝置的破壞，又能對(duì)半導(dǎo)體裝置產(chǎn)生的熱比以往高效地進(jìn)行散熱。

附圖說(shuō)明