[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210553406.7
• 申請日: 2019-01-25
• 公開（公告）號: CN114883323B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉田一磨;大河亮介;井上翼
• 申請（專利權(quán)）人: 新唐科技日本株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/78;H01L23/31;H10N97/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 高迪

1.一種半導(dǎo)體裝置，是面朝下安裝芯片尺寸封裝型的半導(dǎo)體裝置，在電池的充放電電路中，被用于1A以上的瞬時充放電的電流控制，且該半導(dǎo)體裝置在硅基板上形成有多個元件，

所述半導(dǎo)體裝置具有串聯(lián)連接電路，該串聯(lián)連接電路由相互并聯(lián)連接的多個電阻元件、與在所述瞬時充放電時瞬時成為導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管元件不經(jīng)由其他元件地串聯(lián)連接而成，

所述半導(dǎo)體裝置的厚度是250μm以上，

構(gòu)成所述串聯(lián)連接電路的全部元件被形成在所述硅基板上，

所述多個電阻元件被分散配置在所述半導(dǎo)體裝置的平面視面積的一半以上的區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述半導(dǎo)體裝置的厚度是350μm以上。

3.一種半導(dǎo)體裝置，是面朝下安裝芯片尺寸封裝型的半導(dǎo)體裝置，在電池的充放電電路中，被用于1A以上的瞬時充放電的電流控制，且該半導(dǎo)體裝置在硅基板上形成有多個元件，

所述半導(dǎo)體裝置具有串聯(lián)連接電路，該串聯(lián)連接電路由相互并聯(lián)連接的多個電阻元件、與在所述瞬時充放電時瞬時成為導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管元件不經(jīng)由其他元件地串聯(lián)連接而成，

所述半導(dǎo)體裝置的體積是1.94mm³以上，

構(gòu)成所述串聯(lián)連接電路的全部元件被形成在所述硅基板上，

所述多個電阻元件被分散配置在所述半導(dǎo)體裝置的平面視面積的一半以上的區(qū)域。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，

所述半導(dǎo)體裝置的體積是2.20mm³以上。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，

所述半導(dǎo)體裝置的體積是3.05mm³以上。