[發明專利]激光與中遠紅外兼容隱身膜系結構

有效

• 申請號: 202210548879.8
• 申請日: 2022-05-20
• 公開（公告）號: CN115061229B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 王龍;汪劉應;劉顧;葛超群;唐修檢;許可俊;王文豪;王偉超;胡靈杰
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍火箭軍工程大學
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08;G02B1/115;G02B1/10;G02B1/00
• 代理公司: 濟南光啟專利代理事務所(普通合伙) 37292
• 代理人: 李曉平

1.一種激光與中遠紅外兼容隱身膜系結構，其特征在于：是在摻雜態光子晶體膜系結構A/B/T/A/B中插入金屬反射薄膜層M1與金屬反射薄膜層M2而形成的，其基本結構為以下4種之一：

①A/B/T/A/M1/B/M2；

②A/B/T/M1/A/B/M2；

③A/B/M1/T/A/B/M2；

④A/M1/B/T/A/B/M2；

其中，介質層A、介質層B、介質層T的材料獨立地選自ZnS、ZnO、ZnSe、Al₂O₃、SiO₂、TiO₂；金屬反射薄膜層M1、金屬反射薄膜層M2的材料獨立地選自Ag、Au、Al；

介質層A、介質層B、介質層T在10.6μm處的折射率分別為n_A、n_B、n_T，介質層A、介質層B、介質層T的厚度分別為d_A、d_B、d_T，具有以下關系：n_A×d_A≈n_B×d_B≈n_T×d_T≈(2650±Δ)nm，Δ為誤差糾正補償量，且75Δ≤300，對于結構①、③，取“-”，對于結構②、④，取“+”；金屬反射薄膜層M1、金屬反射薄膜層M2的厚度均為5～25nm。

2.根據權利要求1所述的激光與中遠紅外兼容隱身膜系結構，其特征在于：基本結構為①A/B/T/A/M1/B/M2；介質層A、介質層T的材料均為硒化鋅，在10.6μm處的折射率為2.4；介質層B的材料為二氧化鈦，在10.6μm處的折射率為1.18；介質層A、介質層T的厚度為1040nm，介質層B的厚度為2119nm；金屬反射薄膜層M1、金屬反射薄膜層M2均為Ag薄膜，厚度分別為10nm、20nm。

3.根據權利要求1所述的激光與中遠紅外兼容隱身膜系結構，其特征在于：基本結構為②A/B/T/M1/A/B/M2；介質層A、介質層T的材料均為硒化鋅，在10.6μm處的折射率為2.4；介質層B的材料為二氧化鈦，在10.6μm處的折射率為1.18；介質層A、介質層T的厚度為1167nm，介質層B的厚度為2373nm；金屬反射薄膜層M1、金屬反射薄膜層M2均為Ag薄膜，厚度分別為10nm、20nm。

4.根據權利要求1所述的激光與中遠紅外兼容隱身膜系結構，其特征在于：基本結構為③A/B/M1/T/A/B/M2；介質層A、介質層T的材料均為硒化鋅，在10.6μm處的折射率為2.4；介質層B的材料為二氧化鈦，在10.6μm處的折射率為1.18；介質層A、介質層T的厚度為1040nm，介質層B的厚度為2119nm；金屬反射薄膜層M1、金屬反射薄膜層M2均為Ag薄膜，厚度分別為10nm、20nm。

5.根據權利要求1所述的激光與中遠紅外兼容隱身膜系結構，其特征在于：基本結構為④A/M1/B/T/A/B/M2；介質層A、介質層T的材料均為硒化鋅，在10.6μm處的折射率為2.4；介質層B的材料為二氧化鈦，在10.6μm處的折射率為1.18；介質層A、介質層T的厚度為1167nm，介質層B的厚度為2373nm；金屬反射薄膜層M1、金屬反射薄膜層M2均為Ag薄膜，厚度分別為10nm、20nm。

6.權利要求1～5中任一項所述的激光與中遠紅外兼容隱身膜系結構在作為或制備紅外與激光兼容隱身材料中的應用。

7.根據權利要求6所述的應用，其特征在于：具體應用時，在基底表面采用原子層沉積、磁控濺射和/或蒸發鍍技術逐層涂覆各介質層和金屬反射薄膜層。