[發(fā)明專利]具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210544193.1 | 申請日： | 2022-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN115602634A | 公開（公告）日： | 2023-01-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 崔倫華 | 申請（專利權(quán)）人： | JMJ韓國株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/04 | 分類號： | H01L23/04;H01L23/373;H01L23/49;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11421 | 代理人： | 劉云飛 |
| 地址： | 韓國京畿道富*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 陰刻形 表面 形狀 封裝 外殼 半導(dǎo)體 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：
一個以上的基板，其搭載一個以上的半導(dǎo)體芯片；
一個以上的端子引線，其與所述基板電性連接；
電性連接部件，其將所述半導(dǎo)體芯片和所述基板或所述端子引線連接；
封裝外殼，其包裹所述半導(dǎo)體芯片、所述電性連接部件、所述一個以上的基板；
一個以上的止動件，其由與所述封裝外殼相同的材料形成，相比所述基板的裸露面以既定高度更高地形成，并且，在所述基板的裸露面上形成，或覆蓋所述基板的裸露面的至少一部分而形成；及
一個以上的散熱器，其傳送從所述半導(dǎo)體芯片的發(fā)熱而進行散熱，
并且，所述一個以上的基板的裸露面的至少一部分在所述封裝外殼的上面或下面或上下面形成，
所述一個以上的基板的裸露面和所述散熱器介入熱傳送接合部件而接合。
2.一種具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：
一個以上的基板，其搭載一個以上的半導(dǎo)體芯片；
一個以上的端子引線，其與所述基板電性連接；
電性連接部件，其將所述半導(dǎo)體芯片和所述基板或所述端子引線連接；
封裝外殼，其包裹所述半導(dǎo)體芯片、所述電性連接部件、所述一個以上的基板；
一個以上的止動件，其由與所述封裝外殼相同的材料形成，相比所述基板的裸露面以既定高度更高地形成，并且，未與所述基板的裸露面重疊地形成；及
一個以上的散熱器，其傳送從所述半導(dǎo)體芯片的發(fā)熱而進行散熱，
并且，所述一個以上的基板的裸露面的至少一部分在所述封裝外殼的上面或下面或上下面形成，
所述一個以上的基板的裸露面和所述散熱器介入熱傳送接合部件而接合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，
所述基板為金屬基板，或包括一個以上的絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，
所述止動件的高度為1μm至1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，
所述止動件以圓形、四角形及多角形中某一個以上的平面形狀較高地形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，
所述一個以上的止動件是使用激光將所述封裝外殼的表面一部分進行陰刻加工而形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，
所述一個以上的止動件的高度根據(jù)未進行陰刻加工的所述封裝外殼的表面一部分決定。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，
所述電性連接部件由Au,Ag,Al及Cu中某一個單一金屬形成，或含有50重量％以上的Au,Ag,Al及Cu中某一個以上的金屬的合金形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，
所述電性連接部件是六面體形狀或圓筒形形狀的導(dǎo)電性隔片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，
所述隔片的一側(cè)面與第1基板上的所述半導(dǎo)體芯片通過導(dǎo)電性粘接劑電性接合，
所述隔片的另一側(cè)面與第2基板通過導(dǎo)電性粘接劑電性接合。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有陰刻形表面形狀的封裝外殼的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，
所述電性連接部件是在所述一個以上的半導(dǎo)體芯片與所述基板之間電性地連接。
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