[發(fā)明專利]一種氟化界面層修飾的低溫碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池、其制備方法及應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210540492.8 | 申請(qǐng)日: | 2022-05-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115000209A | 公開(公告)日: | 2022-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 臺(tái)啟東;張祥;張丹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/032 | 分類號(hào): | H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 石超群 |
| 地址: | 430072 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氟化 界面 修飾 低溫 無機(jī) 鈣鈦礦 太陽能電池 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明涉及新型太陽能電池的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種氟化界面層修飾的低溫碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池、其制備方法及應(yīng)用,所述電池結(jié)構(gòu)從下到上依次為透明導(dǎo)電襯底、電子傳輸層、氟化界面層、無機(jī)鈣鈦礦吸光層和碳電極;所述氟化界面層為三氟乙酸鉀。本發(fā)明使用三氟乙酸鉀作為低溫碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池中電子傳輸層與無機(jī)鈣鈦礦吸光層之間的氟化界面層,優(yōu)化了電子傳輸層和無機(jī)鈣鈦礦吸光層的薄膜質(zhì)量,降低了兩者之間的界面能級(jí)差,抑制了電荷非輻射復(fù)合,促進(jìn)了電子的傳輸和提取,對(duì)于提高低溫碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性具有重要意義。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及新型太陽能電池的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種氟化界面層修飾的低溫碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池、其制備方法及應(yīng)用。
背景技術(shù)
2009年發(fā)展至今,有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)從最初的3.8%提高到認(rèn)證的25.7%。然而,由于有機(jī)陽離子的分解和揮發(fā),雜化鈣鈦礦在高溫、潮濕等惡劣環(huán)境下不穩(wěn)定。CsPbX3(X=I、Br或混合鹵化物)無機(jī)鈣鈦礦可以解決上述問題并取得了一些進(jìn)展。不幸的是,高效的無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池普遍使用有機(jī)空穴傳輸層(HTL)和貴金屬電極(Au或Ag)。除了價(jià)格昂貴,HTL中的吸濕性添加劑加速了器件退化。金屬電極因離子遷移也會(huì)受到腐蝕。為了克服上述不穩(wěn)定性因素,無HTL的碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池脫穎而出。除了成本低、工藝簡單和功函數(shù)合適外,疏水碳電極還可以防止無機(jī)鈣鈦礦被水分侵蝕。因此,碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池表現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
由于具有合適的帶隙和相結(jié)構(gòu),CsPbI2Br無機(jī)鈣鈦礦可以在PCE和穩(wěn)定性之間取得平衡,遺憾地是,其通常需要高溫(>250℃)制備,這不僅增加了能源消耗和生產(chǎn)成本,而且不適用柔性基底。更重要的是碳基CsPbI2Br無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池的PCE遠(yuǎn)低于基于金屬電極/HTL的器件,這主要?dú)w因于較差的薄膜質(zhì)量和較大的界面能級(jí)差。
界面修飾是提高薄膜質(zhì)量和優(yōu)化界面能級(jí)排列的有效策略之一。目前,大部分研究只關(guān)注CsPbI2Br和碳電極之間的界面,卻忽視了電子傳輸層與CsPbI2Br之間的界面。電子傳輸層表面富含氧空位等缺陷,其造成的非輻射復(fù)合損失遠(yuǎn)高于頂部界面。另外,鈣鈦礦薄膜的成核和結(jié)晶很大程度上受底部界面性質(zhì)的影響,比如粗糙度,潤濕性等。
基于以上考慮,特提出此發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種氟化界面層修飾的低溫碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池,使用三氟乙酸鉀(KTFA)作為電子傳輸層與無機(jī)鈣鈦礦吸光層之間的氟化界面層,優(yōu)化了電子傳輸層和無機(jī)鈣鈦礦吸光層的薄膜質(zhì)量,降低了兩者之間的界面能級(jí)差,抑制了電荷非輻射復(fù)合,促進(jìn)了電子的傳輸和提取。
本發(fā)明的目的之二在于提供一種氟化界面層修飾的低溫碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,制備工藝簡便,易于調(diào)節(jié)。
本發(fā)明的目的之三在于提供一種氟化界面層修飾的低溫碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池的應(yīng)用。
本發(fā)明實(shí)現(xiàn)目的之一所采用的方案是:一種氟化界面層修飾的低溫碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池,所述電池結(jié)構(gòu)從下到上依次為透明導(dǎo)電襯底、電子傳輸層、氟化界面層、無機(jī)鈣鈦礦吸光層和碳電極;所述氟化界面層為三氟乙酸鉀。
優(yōu)選地,所述透明導(dǎo)電襯底為ITO導(dǎo)電玻璃或FTO導(dǎo)電玻璃。
優(yōu)選地,所述電子傳輸層為SnO2層;所述無機(jī)鈣鈦礦吸光層為CsPbI2Br。
本發(fā)明實(shí)現(xiàn)目的之二所采用的方案是:一種所述的氟化界面層修飾的低溫碳基無機(jī)鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,包括以下步驟:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





