[發明專利]存儲器裝置及其操作方法、存儲器系統

在審

• 申請號: 202210540184.5
• 申請日: 2022-05-17
• 公開（公告）號: CN114999547A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 許新鑫;李躍平;湯強
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C8/08;G11C8/14
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 趙翠萍;張穎玲

本發明實施例提供了一種存儲器裝置及其操作方法、存儲器系統，所述存儲器裝置包括存儲器陣列以及與所述存儲器陣列耦接的外圍電路；所述存儲器陣列包括字線驅動器共用同一阱的第一存儲塊和第二存儲塊；所述外圍電路被配置為：在執行第一編程驗證恢復操作的過程中，對所述第一存儲塊的所有字線均施加第一恢復電壓；在施加所述第一恢復電壓后，對所述第一存儲塊的所有字線均施加第二恢復電壓，以抑制所述第一存儲塊與所述第二存儲塊之間寄生場效應管帶來的漏電；所述第一存儲塊為選中的存儲塊，所述第二存儲塊為未選中的存儲塊；所述第一恢復電壓與所述第二恢復電壓相同或不同。

技術領域

本發明實施例涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器裝置及其操作方法、存儲器系統。

背景技術

存儲器是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備。作為一種典型的非易失性半導體存儲器，NAND(Not-And，與非型)閃存器由于具有較高的存儲密度、可控的生產成本、合適的編擦速度及保持特性，已經成為存儲市場中的主流產品。

隨著對存儲器要求的不斷提高，如何減小存儲器中的編程干擾成為本領域現階段亟需解決的技術問題之一。

發明內容

本發明實施例提出一種存儲器裝置及其操作方法、存儲器系統。

第一方面，本發明實施例提供一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括存儲器陣列以及與所述存儲器陣列耦接的外圍電路；其中，

所述存儲器陣列包括字線驅動器共用同一阱的第一存儲塊和第二存儲塊；

所述外圍電路被配置為：

在執行第一編程驗證恢復操作的過程中，對所述第一存儲塊的所有字線均施加第一恢復電壓；在施加所述第一恢復電壓后，對所述第一存儲塊的所有字線均施加第二恢復電壓，以抑制所述第一存儲塊與所述第二存儲塊之間寄生場效應管帶來的漏電；所述第一存儲塊為選中的存儲塊，所述第二存儲塊為未選中的存儲塊；所述第一恢復電壓與所述第二恢復電壓相同或不同。

上述方案中，所述外圍電路被配置為：

對所述第一存儲塊的所有字線均浮接所述第一恢復電壓；

對所述第一存儲塊的所有字線均浮接所述第二恢復電壓；或者，在編程驗證恢復操作的過程中持續施加所述第二恢復電壓。

上述方案中，所述外圍電路被配置為：

對所述第一存儲塊中選中的字線耦合的存儲單元進行第一編程操作和第一編程驗證操作；

在完成所述第一編程驗證操作后，執行所述第一編程驗證恢復操作。

上述方案中，所述外圍電路被配置為：

向所述第一存儲塊中選中的字線施加編程驗證電壓，并向所述第一存儲塊中未選中的字線施加讀取電壓，以對所述第一存儲塊中選中的字線進行第一編程驗證操作；

在施加所述編程驗證電壓的脈沖下降完成后向所述選中的字線施加第一恢復電壓，并在施加所述讀取電壓的脈沖下降完成后向所述未選中的字線施加第一恢復電壓；或者，在施加所述編程驗證電壓的脈沖下降過程中向所述選中的字線施加第一恢復電壓，并在施加所述讀取電壓的脈沖下降過程中向所述未選中的字線施加第一恢復電壓。

上述方案中，所述外圍電路被配置為：

在對所述第一存儲塊的所有字線均施加第二恢復電壓后，對第一存儲塊中選中的字線進行第二編程操作；

進行第一編程操作時對選中的字線施加的電壓為第一編程電壓，進行第二編程操作時對選中的字線施加的電壓為第二編程電壓；所述第二編程電壓大于所述第一編程電壓。

上述方案中，所述第一恢復電壓與所述第二恢復電壓的范圍均為1.5V-4V。