[發(fā)明專利]存儲器裝置及其操作方法、存儲器系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210540184.5
• 申請日: 2022-05-17
• 公開（公告）號: CN114999547A
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設計）人: 許新鑫;李躍平;湯強
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C8/08;G11C8/14
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 趙翠萍;張穎玲

1.一種存儲器裝置，其特征在于，所述存儲器裝置包括：存儲器陣列以及與所述存儲器陣列耦接的外圍電路；其中，

所述存儲器陣列包括字線驅(qū)動器共用同一阱的第一存儲塊和第二存儲塊；

所述外圍電路被配置為：

在執(zhí)行第一編程驗證恢復操作的過程中，對所述第一存儲塊的所有字線均施加第一恢復電壓；在施加所述第一恢復電壓后，對所述第一存儲塊的所有字線均施加第二恢復電壓，以抑制所述第一存儲塊與所述第二存儲塊之間寄生場效應管帶來的漏電；所述第一存儲塊為選中的存儲塊，所述第二存儲塊為未選中的存儲塊；所述第一恢復電壓與所述第二恢復電壓相同或不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述外圍電路被配置為：

對所述第一存儲塊的所有字線均浮接所述第一恢復電壓；

對所述第一存儲塊的所有字線均浮接所述第二恢復電壓；或者，在編程驗證恢復操作的過程中持續(xù)施加所述第二恢復電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述外圍電路被配置為：

對所述第一存儲塊中選中的字線耦合的存儲單元進行第一編程操作和第一編程驗證操作；

在完成所述第一編程驗證操作后，執(zhí)行所述第一編程驗證恢復操作。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器裝置，其特征在于，所述外圍電路被配置為：

向所述第一存儲塊中選中的字線施加編程驗證電壓，并向所述第一存儲塊中未選中的字線施加讀取電壓，以對所述第一存儲塊中選中的字線進行第一編程驗證操作；

在施加所述編程驗證電壓的脈沖下降完成后向所述選中的字線施加第一恢復電壓，并在施加所述讀取電壓的脈沖下降完成后向所述未選中的字線施加第一恢復電壓；或者，在施加所述編程驗證電壓的脈沖下降過程中向所述選中的字線施加第一恢復電壓，并在施加所述讀取電壓的脈沖下降過程中向所述未選中的字線施加第一恢復電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器裝置，其特征在于，所述外圍電路被配置為：

在對所述第一存儲塊的所有字線均施加第二恢復電壓后，對第一存儲塊中選中的字線進行第二編程操作；

進行第一編程操作時對選中的字線施加的電壓為第一編程電壓，進行第二編程操作時對選中的字線施加的電壓為第二編程電壓；所述第二編程電壓大于所述第一編程電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述第一恢復電壓與所述第二恢復電壓的范圍均為1.5V-4V。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述存儲器陣列還包括字線驅(qū)動器未共用同一阱的第三存儲塊和第四存儲塊；

所述外圍電路被配置為：

對第三存儲塊中選中的字線耦合的存儲單元進行第三編程操作和第二編程驗證操作；其中，所述第三存儲塊為選中的存儲塊，所述第四存儲塊為未選中的存儲塊；

在完成所述第二編程驗證操作后，執(zhí)行第二編程驗證恢復操作；

在執(zhí)行所述第二編程驗證恢復操作的過程中，對所述第三存儲塊的所有字線均施加第一恢復電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述存儲器裝置包括三維NAND型存儲器。

9.一種存儲器系統(tǒng)，包括：

一個或多個如權(quán)利要求1至8中任一項所述的存儲器裝置；以及

存儲器控制器，其與所述存儲器裝置耦接并控制所述存儲器裝置。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲器系統(tǒng)包括存儲卡或固態(tài)硬盤。