[發明專利]一種碳納米角修飾的高性能異質結光電探測器的制備方法在審
| 申請號: | 202210538909.7 | 申請日: | 2022-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN114824106A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 闞彩俠;尤海明;劉洋;姜明明 | 申請(專利權)人: | 南京航空航天大學 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 修飾 性能 異質結 光電 探測器 制備 方法 | ||
1.一種碳納米角修飾的高性能異質結光電探測器的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)將碳納米角CNHs溶于二甲基亞砜DMSO溶液中;
(2)將CNHs的DMSO膠體溶液加入到3,4-乙撐二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸PEDOT:PSS的水溶液中;
(3)將玻璃片清洗,保持其平整干凈;
(4)挑選結晶質量優異的n-ZnO:Ga微米線;
(5)將在步驟(4)中得到的n-ZnO:Ga微米線放置在步驟(3)中得到的玻璃片基底上,并在n-ZnO:Ga微米線一端按壓In粒做電極;
(6)在步驟(5)的n-ZnO:Ga微米線另一端滴涂CNHs修飾的PEDOT:PSS溶液,烘干后,在薄膜上滴涂Ag膠做電極,即可構筑CNHs修飾PEDOT:PSS的p-n異質結基高性能光電探測器。
2.根據權利要求1所述的碳納米角修飾的高性能異質結光電探測器的制備方法,其特征在于,步驟(1)具體為:取CNHs粉末20mg,加入2~5mL DMSO溶液中,超聲分散25-35min。
3.根據權利要求1所述的碳納米角修飾的高性能異質結光電探測器的制備方法,其特征在于,步驟(2)具體為:取15~25μL CNHs的DMSO膠體溶液,加入960~1000μL PEDOT:PSS的水溶液中,超聲分散25~35min。
4.根據權利要求1所述的碳納米角修飾的高性能異質結光電探測器的制備方法,其特征在于,步驟(3)玻璃片清洗的方法為:將玻璃片置入玻璃燒杯中,倒入三氯乙烯,再放入超聲清洗儀中清洗10~20min,清洗完成后將其分別放入丙酮、乙醇、超純水中以同樣的方法清洗10~20min,之后以氮氣槍吹干。
5.根據權利要求1或4所述的碳納米角修飾的高性能異質結光電探測器的制備方法,其特征在于,所述玻璃片的尺寸為2cm*2cm。
6.根據權利要求1所述的碳納米角修飾的高性能異質結光電探測器的制備方法,其特征在于,步驟(4)所述n-ZnO:Ga微米線的挑選為:n-ZnO:Ga微米線采用CVD法制備,且在顯微鏡下觀察結晶質量完好。
7.根據權利要求1所述的碳納米角修飾的高性能異質結光電探測器的制備方法,其特征在于,步驟(5)的具體為:將n-ZnO:Ga微米線放置在玻璃片基底上,在n-ZnO:Ga微米線一端按壓In粒,In粒與n-ZnO:Ga微米線為歐姆接觸,作為異質結的陰極。
8.根據權利要求1所述的碳納米角修飾的高性能異質結光電探測器的制備方法,其特征在于,步驟(6)的具體為:取1~3μL CNHs修飾的PEDOT:PSS溶液滴涂在微米線一端,將此時的器件放入45~55℃低溫干燥箱中烘干5~10min,在烘干后的CNHs修飾PEDOT:PSS薄膜上滴涂Ag膠,作為異質結的陽極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





