[發(fā)明專利]一種碳納米角修飾的高性能異質(zhì)結(jié)光電探測器的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210538909.7 | 申請日: | 2022-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN114824106A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 闞彩俠;尤海明;劉洋;姜明明 | 申請(專利權(quán))人: | 南京航空航天大學 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 修飾 性能 異質(zhì)結(jié) 光電 探測器 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種碳納米角修飾的高性能有機/無機異質(zhì)結(jié)光電探測器的制備方法。此光電探測器由4個部分組成:n型Ga摻雜ZnO(n?ZnO:Ga)微米線,微米線一端的銦(In)電極,碳納米角(Carbon nanohorns:CNHs)修飾的3,4?乙撐二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜和薄膜上的銀(Ag)電極。本發(fā)明基于PEDOT:PSS薄膜和單根ZnO:Ga微米線,構(gòu)筑有機/無機異質(zhì)結(jié)光電探測器,采用CNHs修飾PEDOT:PSS薄膜,改善其電學性質(zhì),從而提升光電探測器性能。與未使用CNHs修飾的PEDOT:PSS薄膜構(gòu)筑的光電探測器相比,光電流、響應度、探測率、抑制比得到顯著增強,促進了ZnO基半導體光電探測器的發(fā)展。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體光電子器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種碳納米角修飾的高性能異質(zhì)結(jié)光電探測器的制備方法。
背景技術(shù)
自從20世紀90年代成功合成導電高分子材料PEDOT以來,PEDOT就因其電導率高和化學穩(wěn)定性好,成為導電材料的研究熱點。PEDOT由于具有較強的π-共軛剛性結(jié)構(gòu),且鏈狀結(jié)構(gòu)存在較強的電子相互作用,導致溶解性差,也為加工處理帶來困難。研究發(fā)現(xiàn)PSS的加入能促進PEDOT的溶解性,這雖然解決了PEDOT的加工問題,但是PSS的加入阻礙了載流子的運輸,降低了載流子遷移率,導致PEDOT:PSS的電導率較低,可靠性不足,限制了其在光電器件領(lǐng)域的應用。目前已有相關(guān)報道利用快速退火、結(jié)構(gòu)工程和酸后處理等方法來調(diào)節(jié)PEDOT:PSS的電學性質(zhì),但這些方法的處理工藝較為復雜,成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:本發(fā)明的目的在于提供一種CNHs修飾PEDOT:PSS構(gòu)筑高性能有機/無機光電探測器的制備方法。將CNHs溶于二甲基亞砜(DMSO)中與PEDOT:PSS復合作為p型材料,結(jié)晶質(zhì)量優(yōu)異的ZnO:Ga微米線為n型材料,利用CNHs優(yōu)異的導電性、熱穩(wěn)定性,改善PEDOT:PSS薄膜的電學性質(zhì),提高光電探測器的光電流,利用DMSO溶液提高光電探測器的抑制比,構(gòu)筑光電流、響應度、探測率、抑制比等性能優(yōu)秀的p-CNHsPEDOT:PSS/n-ZnO:Ga異質(zhì)結(jié)基光電探測器。
技術(shù)方案:本發(fā)明的碳納米角修飾的高性能異質(zhì)結(jié)光電探測器的制備方法,包括如下步驟:
(1)將碳納米角CNHs溶于二甲基亞砜DMSO溶液中;
(2)將CNHs的DMSO膠體溶液加入到3,4-乙撐二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸PEDOT:PSS的水溶液中;
(3)將玻璃片清洗,保持其平整干凈;
(4)挑選結(jié)晶質(zhì)量優(yōu)異的n-ZnO:Ga微米線;
(5)將在步驟(4)中得到的n-ZnO:Ga微米線放置在步驟(3)中得到的玻璃片基底上,并在n-ZnO:Ga微米線一端按壓In粒做電極;
(6)在步驟(5)的n-ZnO:Ga微米線另一端滴涂CNHs修飾的PEDOT:PSS溶液,烘干后,在薄膜上滴涂Ag膠做電極,即可構(gòu)筑CNHs修飾PEDOT:PSS的p-n異質(zhì)結(jié)基高性能光電探測器。
CNHs的獨特性質(zhì)在光電子器件研制中展示出應用優(yōu)勢,如調(diào)控半導體材料帶隙,較強的光增益,穩(wěn)定的化學性質(zhì)等等。ZnO作為一種直接帶隙半導體,在常溫下具有較高的激子束縛能(60meV)。同時,化學氣相沉積法制備的ZnO微納結(jié)構(gòu)具有良好的結(jié)晶度和四邊形或六邊形截面結(jié)構(gòu),這種天然的光學諧振腔使得ZnO微納結(jié)構(gòu)適用于制備小單元以及微小型光電器件。本發(fā)明在ZnO微米線表面滴涂CNHs修飾的PEDOT:PSS,構(gòu)筑了一種高性能的有機/無機異質(zhì)結(jié)光電探測器。
進一步地,步驟(1)具體為:取CNHs粉末20mg,加入2~5mL DMSO溶液中,超聲分散25~35min。
進一步地,步驟(2)具體為:取15~25μL CNHs的DMSO膠體溶液,加入960~1000μLPEDOT:PSS的水溶液中,超聲分散25~35min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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