[發(fā)明專利]一種氧化銅的生產(chǎn)方法和生產(chǎn)裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210525994.3 | 申請日: | 2022-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN114804186A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 盛勤明;黃健勇 | 申請(專利權(quán))人: | 吳江市威士達(dá)銅業(yè)科技有限公司 |
| 主分類號: | C01G3/02 | 分類號: | C01G3/02;F27B7/42;F27B7/33;F27B7/32 |
| 代理公司: | 蘇州佳捷天誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32516 | 代理人: | 李陽 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氧化銅 生產(chǎn) 方法 裝置 | ||
1.一種氧化銅的生產(chǎn)方法,其特征在于,包括:
設(shè)置回轉(zhuǎn)窯的溫度,回轉(zhuǎn)窯由入口端到出口端依次設(shè)置有第一段控溫區(qū)域、第二段控溫區(qū)域和第三段控溫區(qū)域,所述第一段控溫區(qū)域的溫度范圍為40-100℃,第二段控溫區(qū)域的溫度范圍為180-250℃,第三段控溫區(qū)域的溫度范圍為200-70℃;
使氫氧化銅粉末由回轉(zhuǎn)窯的入口端進(jìn)入回轉(zhuǎn)窯,并依次經(jīng)過第一段控溫區(qū)域、第二段控溫區(qū)域和第三段控溫區(qū)域,最終由回轉(zhuǎn)窯的出口將氧化銅卸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化銅的生產(chǎn)方法,其特征在于,所述第一段控溫區(qū)域的長度:第二段控溫區(qū)域的長度:第三段控溫區(qū)域的長度為1:1:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化銅的生產(chǎn)方法,其特征在于,所述回轉(zhuǎn)窯包括圓筒式罐體,所述罐體的外表面設(shè)置有加熱件,所述罐體的內(nèi)壁設(shè)置有從入口端一直連接到出口端的螺旋形導(dǎo)板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化銅的生產(chǎn)方法,其特征在于,所述罐體和螺旋形導(dǎo)板由耐腐蝕的材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化銅的生產(chǎn)方法,其特征在于,所述罐體的一側(cè)設(shè)置有進(jìn)料容器,所述進(jìn)料容器的下端設(shè)置有進(jìn)料閥,所述氫氧化銅粉末通過進(jìn)料管進(jìn)入罐體內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化銅的生產(chǎn)方法,其特征在于,所述罐體的出口端的外側(cè)的下方設(shè)置有接料容器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氧化銅的生產(chǎn)方法,其特征在于,根據(jù)罐體卸出的氧化銅的檢測結(jié)果,對進(jìn)料閥的開啟程度、回轉(zhuǎn)窯的轉(zhuǎn)速、第一段控溫區(qū)域的溫度、第二段控溫區(qū)域的溫度和第三段控溫區(qū)域溫度進(jìn)行調(diào)整。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化銅的生產(chǎn)方法,其特征在于,所述回轉(zhuǎn)窯的轉(zhuǎn)速為0.5-1.0轉(zhuǎn)/分鐘。
9.一種氧化銅的生產(chǎn)裝置,其特征在于,包括回轉(zhuǎn)窯,所述回轉(zhuǎn)窯包括圓筒式罐體,所述罐體的外表面設(shè)置有加熱件,所述罐體的內(nèi)壁設(shè)置有從入口端一直連接到出口端的螺旋形導(dǎo)板,回轉(zhuǎn)窯由入口端到出口端依次設(shè)置有第一段控溫區(qū)域、第二段控溫區(qū)域和第三段控溫區(qū)域,所述第一段控溫區(qū)域的溫度范圍為40-100℃,第二段控溫區(qū)域的溫度范圍為180-250℃,第三段控溫區(qū)域的溫度范圍為200-70℃,所述回轉(zhuǎn)窯的轉(zhuǎn)速為0.5-1.0轉(zhuǎn)/分鐘;
所述罐體的一側(cè)設(shè)置有進(jìn)料容器,所述進(jìn)料容器的下端設(shè)置有進(jìn)料閥,所述氫氧化銅粉末通過進(jìn)料管進(jìn)入罐體內(nèi),所述罐體的出口端的外側(cè)的下方設(shè)置有接料容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氧化銅的生產(chǎn)裝置,其特征在于,所述第一段控溫區(qū)域的長度:第二段控溫區(qū)域的長度:第三段控溫區(qū)域的長度為1:1:1。
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