[發明專利]半導體封裝結構在審
| 申請號： | 202210524724.0 | 申請日： | 2022-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN115360174A | 公開（公告）日： | 2022-11-18 |
| 發明（設計）人： | 李宜峻;何敦逸;劉興治;郭哲宏 | 申請（專利權）人： | 聯發科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64;H01L25/16;H01L23/48;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京市萬慧達律師事務所 11111 | 代理人： | 白華勝 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 結構 | ||
1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：
具有布線結構的基礎襯底；
設置在該基礎襯底上的重分布層；
設置在該重分布層上的第一半導體芯片；和
設置在該基礎襯底中并電耦合到該第一半導體芯片的第一電容器，其中該第一電容器包括：
具有第一頂表面和第一底表面的第一電容器襯底；
設置在該第一電容器襯底中的至少一個第一電容器單元；和
設置在該第一電容器襯底中的第一通孔，該第一通孔將該至少一個第一電容器單元電耦合到位于該第一電容器襯底的該第一頂表面和該第一底表面上的該基礎襯底的該布線結構。
2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
設置在該重分布層與該基礎襯底之間的多個第一凸塊結構；
設置在重分布層上的第二半導體芯片；
與該多個第一凸塊結構相鄰并且電耦合到該第二半導體芯片的第二電容器；和
設置在該第二電容器的兩個表面上的多個第二凸塊結構。
3.如權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，將該第二電容器連接至該基礎襯底的多個第二凸塊結構的尺寸大于將該第二電容器連接至該重分布層的多個第二凸塊結構的尺寸。
4.如權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，該第二電容器包括：
第二電容器襯底；
設置在該第二電容器襯底中的至少一個第二電容器單元；和
設置在該第二電容器襯底中的第二通孔，該第二通孔將該至少一個第二電容器單元電耦合到該重分布層和該基礎襯底。
5.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
設置在該重分布層上的第二半導體芯片；和
嵌入在該重分布層中并電耦合到該第二半導體芯片的第二電容器。
6.如權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，該第二電容器包括：
具有第二頂表面和第二底表面的第二電容器襯底；
設置在該第二電容器襯底中的至少一個第二電容器單元；和
設置在第二電容器襯底中的第二通孔，該第二通孔將該至少一個第二電容器單元電耦合到位于該第二頂表面和該第二底表面上的該重分布層的導電層。
7.如權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括設置在該重分布層與該基礎襯底之間并電耦合到第三半導體芯片的第三電容器。
8.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
設置在該重分布層上的第二半導體芯片；
設置在該第一半導體芯片與該重分布層之間的多個第一凸塊結構；
設置在該第二半導體芯片和該重分布層之間的第二電容器；和
設置在該第二電容器的兩個表面上并且將該第二電容器電耦合到該第二半導體芯片和該重分布層的多個第二凸塊結構。
9.如權利要求8所述的半導體封裝結構，其特征在于，該第二電容器包括：
第二電容器襯底；
設置在該第二電容器襯底中的至少一個第二電容器單元；和
設置在該第二電容器襯底中的第二通孔，該第二通孔將該至少一個第二電容器單元電耦合到該多個第二凸塊結構。
10.如權利要求8所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括包圍該多個第一凸塊結構和該第二電容器的底部填充材料。
11.如權利要求8所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括設置在該重分布層與該基礎襯底之間并電耦合到第三半導體芯片的第三電容器。
12.如權利要求8所述的半導體封裝結構，還包括嵌入在該重分布層中并且電耦合到第三半導體芯片的第三電容器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聯發科技股份有限公司，未經聯發科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210524724.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
