[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210524724.0
• 申請(qǐng)日: 2022-05-13
• 公開（公告）號(hào): CN115360174A
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李宜峻;何敦逸;劉興治;郭哲宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L25/16;H01L23/48;H01L23/367
• 代理公司: 北京市萬慧達(dá)律師事務(wù)所 11111
• 代理人: 白華勝

本發(fā)明提供半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，可使半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)具有更大的靈活性。在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可包括：具有布線結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)襯底；設(shè)置在該基礎(chǔ)襯底上的重分布層；設(shè)置在該重分布層上的第一半導(dǎo)體芯片；和設(shè)置在該基礎(chǔ)襯底中并電耦合到該第一半導(dǎo)體芯片的第一電容器，其中該第一電容器包括：具有第一頂表面和第一底表面的第一電容器襯底；設(shè)置在該第一電容器襯底中的至少一個(gè)第一電容器單元；和設(shè)置在該第一電容器襯底中的第一通孔，該第一通孔將該至少一個(gè)第一電容器單元電耦合到位于該第一電容器襯底的該第一頂表面和該第一底表面上的該基礎(chǔ)襯底的該布線結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)，特別是涉及一種包括電容器的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

提供電源電壓以供應(yīng)電子電路運(yùn)作(operate)所需的電源。在運(yùn)作過程中，電源電壓可能以相對(duì)較高的強(qiáng)度提供瞬態(tài)電流(transient current)，從而導(dǎo)致電子電路運(yùn)作不正常。為了提供更穩(wěn)定的電源，在電源電壓和地之間連接去耦電容器(一個(gè)或多個(gè))，以為瞬態(tài)電流提供旁路路徑(bypass path)。也就是說，去耦電容器起到臨時(shí)電荷儲(chǔ)存器的作用。

此外，去耦電容器可以通過穩(wěn)定電流流動(dòng)來減少電磁干擾(electromagneticinterference，EMI)問題的影響并提高信號(hào)性能。隨著半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)逐漸小型化，EMI問題急劇增加，去耦電容器的重要性也隨之增加。

盡管現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)大概能滿足需求，它們尚不能做到在各個(gè)方面都令人滿意。例如，焊盤側(cè)電容器(Land-Side Capacitor，LSC)的凸塊結(jié)構(gòu)被移除。這減少了電流密度和散熱路徑。在半導(dǎo)體芯片(semiconductor die)的運(yùn)作過程中會(huì)產(chǎn)生熱量。如果熱量沒有被充分去除，升高的溫度可能會(huì)損壞一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體組件。因此，需要進(jìn)一步改進(jìn)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，可使半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)具有更大的靈活性。

在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可包括：具有布線結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)襯底；設(shè)置在該基礎(chǔ)襯底上的重分布層；設(shè)置在該重分布層上的第一半導(dǎo)體芯片；和設(shè)置在該基礎(chǔ)襯底中并電耦合到該第一半導(dǎo)體芯片的第一電容器，其中該第一電容器包括：具有第一頂表面和第一底表面的第一電容器襯底；設(shè)置在該第一電容器襯底中的至少一個(gè)第一電容器單元；和設(shè)置在該第一電容器襯底中的第一通孔，該第一通孔將該至少一個(gè)第一電容器單元電耦合到位于該第一電容器襯底的該第一頂表面和該第一底表面上的該基礎(chǔ)襯底的該布線結(jié)構(gòu)。

在另一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可包括：具有布線結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)襯底；設(shè)置在該基礎(chǔ)襯底上的重分布層；設(shè)置在該重分布層上的第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片；和設(shè)置在該重分布層和該基礎(chǔ)襯底之間并電耦合到該第一半導(dǎo)體芯片和該第二半導(dǎo)體芯片的第一多電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一多電容器結(jié)構(gòu)包括：電容器襯底；設(shè)置在該電容器襯底中的多個(gè)電容器單元和設(shè)置在電容器襯底中并將該多個(gè)電容器單元電耦合到該重分布層和該基礎(chǔ)襯底的該布線結(jié)構(gòu)的第一通孔。

如上所述，本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括具有通孔的電容器，該通孔使得電容器可以電耦合到電容器兩個(gè)表面上的其他組件。因此，使半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)可以有更大的靈活性。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的電容器100的截面圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)200的截面圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的一部分的截面圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的一部分的截面圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的一部分的截面圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的一部分的截面圖。