[發(fā)明專利]絕緣元件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210522361.7 | 申請(qǐng)日： | 2022-05-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN115346956A | 公開（公告）日： | 2022-11-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 阿久津敏;伊藤和幸;菊地拓雄;牧野伸顯;大黑達(dá)也;藤慶彥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/532 | 分類號(hào)： | H01L23/532;H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣 元件 | ||
1.一種絕緣元件，具備：
第一線圈；
第二線圈；以及
設(shè)于所述第一線圈與所述第二線圈之間的層間絕緣膜，
所述層間絕緣膜具有第一層、第二層、以及設(shè)于所述第一層與所述第二層之間的第三層，
所述第一層設(shè)于所述第一線圈與所述第三層之間，
所述第二層設(shè)于所述第二線圈與所述第三層之間，
所述第三層的帶隙比所述第一層的帶隙以及所述第二層的帶隙窄。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣元件，其中，
所述第一層以及所述第二層是氧化硅層，
所述第三層是氧氮化硅層或者氮化硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣元件，其中，
所述第一層的厚度以及所述第二層的厚度比所述第三層的厚度薄。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣元件，還具備：
具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的基板；
設(shè)于所述基板與所述層間絕緣膜之間的第一絕緣層；
設(shè)于所述第一區(qū)域上的所述第一絕緣層內(nèi)的第一導(dǎo)電層；
設(shè)于所述層間絕緣膜上的第二絕緣層；
設(shè)于所述第一區(qū)域上的所述第二絕緣層內(nèi)的第二導(dǎo)電層；以及
設(shè)于所述層間絕緣膜內(nèi)，并連接所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層，
所述第一線圈設(shè)于所述第二區(qū)域上的所述第一絕緣層內(nèi)，并與所述第一導(dǎo)電層連接，
所述第二線圈設(shè)于所述第二區(qū)域上的所述第二絕緣層內(nèi)，不與所述第二導(dǎo)電層連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣元件，其中，
所述基板的所述第一區(qū)域具有與所述第一導(dǎo)電層連接的電路。
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