[發(fā)明專(zhuān)利]絕緣器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210522350.9 | 申請(qǐng)日： | 2022-05-13 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN115346740A | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-11-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 菊地拓雄;伊藤和幸;阿久津敏;牧野伸顯;大黑達(dá)也;藤慶彥 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01B17/56 | 分類(lèi)號(hào)： | H01B17/56 |
| 代理公司： | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 劉英華 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣 器件 | ||
本發(fā)明提供一種能夠提高可靠性的絕緣器件。絕緣器件具備第一電極、第二電極、以及設(shè)置于所述第一電極與所述第二電極之間的絕緣膜。所述絕緣膜具有正的帶電區(qū)域。所述正的帶電區(qū)域在所述絕緣膜中配置于從所述第一電極朝向所述第二電極的方向上的一部分。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)施方式涉及絕緣器件。
背景技術(shù)
在數(shù)字隔離器等絕緣器件中，為了確保高的耐電場(chǎng)性能，一對(duì)電極隔著厚的絕緣膜相互絕緣。在這樣的絕緣器件中，存在電場(chǎng)集中于電極的端部而可靠性降低的問(wèn)題。
[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本特開(kāi)2020-129657號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施方式的目的在于提供一種能夠提高可靠性的絕緣器件。
實(shí)施方式的絕緣器件具備第一電極、第二電極、以及設(shè)置于所述第一電極與所述第二電極之間的絕緣膜。所述絕緣膜具有正的帶電區(qū)域。所述正的帶電區(qū)域在所述絕緣膜中配置于從所述第一電極朝向所述第二電極的方向上的一部分。
附圖說(shuō)明
圖1是表示第一實(shí)施方式的絕緣器件的剖視圖。
圖2的(a)是表示圖1的區(qū)域A的局部剖視圖，(b)是縱軸取位置，橫軸取電位，而表示絕緣膜中的電位分布的曲線圖，(c)是縱軸取位置，橫軸取電場(chǎng)強(qiáng)度，而表示絕緣膜中的電場(chǎng)強(qiáng)度分布的曲線圖，(d)是表示圖1的區(qū)域A的局部剖視圖，(e)是縱軸取位置，橫軸取電位，而表示絕緣膜中的電位分布的曲線圖，(f)是縱軸取位置，橫軸取電場(chǎng)強(qiáng)度，而表示絕緣膜中的電場(chǎng)強(qiáng)度分布的曲線圖。
圖3的(a)是表示第二實(shí)施方式的絕緣器件的局部剖視圖，(b)是縱軸取位置，橫軸取電位，而表示絕緣膜中的電位分布的曲線圖，(c)是縱軸取位置，橫軸取電場(chǎng)強(qiáng)度，而表示絕緣膜中的電場(chǎng)強(qiáng)度分布的曲線圖。
圖4的(a)是表示第二實(shí)施方式的絕緣器件的局部剖視圖，(b)是縱軸取位置，橫軸取電場(chǎng)強(qiáng)度，而表示絕緣膜中的電位分布的曲線圖，圖4的(c)是橫軸取正的帶電區(qū)域中的正電荷的密度，縱軸取電場(chǎng)降低率(E/E0)，而表示正電荷對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度分布造成的影響的曲線圖。
圖5的(a)及(b)是表示硅氧化物的分子結(jié)構(gòu)的圖，(a)表示沒(méi)有氧空缺的狀態(tài)，(b)表示存在氧空缺的狀態(tài)。
圖6的(a)及(b)是橫軸取結(jié)合能，縱軸取強(qiáng)度，而表示硅氧化物的XPS分析結(jié)果中的與硅的2p內(nèi)殼層能級(jí)對(duì)應(yīng)的峰的圖，(a)表示氧空缺的濃度低的情況，(b)表示氧空缺的濃度高的情況。
圖7是橫軸取氧空缺的濃度，縱軸取峰位移量，而表示氧空缺對(duì)峰位移量造成的影響的曲線圖。
圖8的(a)是表示第三實(shí)施方式的絕緣器件的局部剖視圖，(b)是縱軸取位置，橫軸取電位，而表示絕緣膜中的電位分布的曲線圖，(c)是縱軸取位置，橫軸取電場(chǎng)強(qiáng)度，而表示絕緣膜中的電場(chǎng)強(qiáng)度分布的曲線圖。
圖9的(a)是表示第四實(shí)施方式的絕緣器件的局部剖視圖，(b)是縱軸取位置，橫軸取電位，而表示絕緣膜中的電位分布的曲線圖，(c)是縱軸取位置，橫軸取電場(chǎng)強(qiáng)度，而表示絕緣膜中的電場(chǎng)強(qiáng)度分布的曲線圖。
圖10的(a)是表示第五實(shí)施方式的絕緣器件的局部剖視圖，(b)是縱軸取位置，橫軸取電位，而表示絕緣膜中的電位分布的曲線圖，(c)是縱軸取位置，橫軸取電場(chǎng)強(qiáng)度，而表示絕緣膜中的電場(chǎng)強(qiáng)度分布的曲線圖。
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