[發明專利]絕緣器件在審
| 申請號： | 202210522350.9 | 申請日： | 2022-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN115346740A | 公開（公告）日： | 2022-11-15 |
| 發明（設計）人： | 菊地拓雄;伊藤和幸;阿久津敏;牧野伸顯;大黑達也;藤慶彥 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號： | H01B17/56 | 分類號： | H01B17/56 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 劉英華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣 器件 | ||
1.一種絕緣器件，具備：
第一電極；
第二電極；以及
絕緣膜，設置于所述第一電極與所述第二電極之間，且具有正的帶電區域，該正的帶電區域配置于從所述第一電極朝向所述第二電極的方向上的一部分。
2.根據權利要求1所述的絕緣器件，其中，
所述正的帶電區域位于所述第一電極與所述第二電極的中點與所述第二電極之間。
3.根據權利要求1所述的絕緣器件，其中，
所述絕緣膜還具有負的帶電區域，該負的帶電區域配置于所述方向上的其他部分。
4.根據權利要求3所述的絕緣器件，其中，
所述負的帶電區域位于所述第一電極與所述正的帶電區域之間。
5.根據權利要求3所述的絕緣器件，其中，
多個所述正的帶電區域和多個所述負的帶電區域沿著所述方向交替地排列。
6.根據權利要求1所述的絕緣器件，其中，
所述正的帶電區域的沿著所述方向的長度為500nm以上。
7.根據權利要求1所述的絕緣器件，其中，
所述正的帶電區域的電荷密度為1×1016cm-3以上。
8.根據權利要求1所述的絕緣器件，其中，
所述正的帶電區域由SiOx構成，其中，x小于2。
9.根據權利要求1所述的絕緣器件，其中，
所述絕緣膜包含硅及氧，所述正的帶電區域中的氧濃度低于所述絕緣膜中的所述正的帶電區域以外的區域中的氧濃度。
10.根據權利要求1所述的絕緣器件，其中，
所述絕緣膜包含硅及氧，所述正的帶電區域包含鉿及氧。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，未經株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210522350.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：胰島素化合物與GLP-1受體激動劑的復方制劑及其醫藥用途
- 下一篇：絕緣元件
