[發(fā)明專利]可自熱瓷磚及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210520683.8
• 申請日: 2022-05-12
• 公開（公告）號: CN114908944A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設計）人: 胡志升;胡旭;王輝
• 申請（專利權）人: 湖南瑞森特電子科技有限公司
• 主分類號: E04F15/02
• 分類號: E04F15/02;E04F15/18;F24D13/02
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 辛鴻飛

1.一種可自熱瓷磚，提供背向的第一載面和第二載面，所述第二載面用于與載體接觸并將所述可自熱瓷磚設于所述載體上，其特征在于，包括：

瓷磚主體，至少提供所述第一載面；

加熱厚膜，與所述瓷磚主體結合，所述加熱厚膜至少包括加熱電阻，所述加熱電阻可接電產生熱量；

隔熱層，與所述瓷磚主體結合并可阻擋熱量朝向所述第二載面?zhèn)鲗?，所述加熱電阻設置于所述隔熱層和所述第一載面之間，沿垂直于所述第一載面的方向，所述加熱電阻的正投影落入所述隔熱層的正投影之內。

2.根據權利要求1所述的可自熱瓷磚，其特征在于，

所述瓷磚主體還提供所述第二載面，所述隔熱層和所述加熱厚膜均設置于所述瓷磚主體內；

或者，所述隔熱層設置于所述瓷磚主體的另一面，且所述另一面與所述第一載面背向設置，所述隔熱層提供所述第二載面，所述隔熱層、所述加熱厚膜和所述瓷磚主體依次粘接。

3.根據權利要求1所述的可自熱瓷磚，其特征在于，沿垂直于所述第一載面的方向，所述隔熱層的正投影覆蓋所述第二載面。

4.根據權利要求1所述的可自熱瓷磚，其特征在于，所述加熱電阻包括加熱線圈，所述加熱線圈的環(huán)繞形狀與所述隔熱層的正投影形狀相同。

5.根據權利要求4所述的可自熱瓷磚，其特征在于，所述第一載面設置有凹槽，所述凹槽形成所述可自熱瓷磚的圖案紋路，沿垂直于所述第一載面的方向，所述加熱線圈與所述圖案紋路的正投影至少部分重疊。

6.根據權利要求5所述的可自熱瓷磚，其特征在于，所述凹槽的槽底與所述加熱電阻之間的距離為H₀，且0mm≤H₀≤2mm。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的可自熱瓷磚，其特征在于，所述加熱電阻與所述隔熱層邊緣的最小距離為D₁，0cm≤D₁≤1cm；和/或，所述加熱電阻與所述瓷磚主體邊緣的最小距離為D₂，3cm≤D₂≤5cm。

8.根據權利要求1所述的可自熱瓷磚，其特征在于，所述加熱電阻成型于所述隔熱層上，和/或，所述加熱電阻與所述隔熱層之間設置有所述瓷磚主體的一部分，并通過所述瓷磚主體的一部分相對設置。

9.一種可自熱瓷磚的制造方法，其特征在于，包括：

對第一漿料進行第一成型處理以得到第一瓷磚主體；

將第二漿料和隔熱材料混合并進行第二成型處理得到第二瓷磚主體，在所述第二瓷磚主體中，所述隔熱材料的占比大于所述第二漿料的占比；

將加熱電阻設于所述第二瓷磚主體上，并將所述第二瓷磚主體與第一瓷磚主體貼合，所述加熱電阻位于所述第二瓷磚主體和第一瓷磚主體之間；

將貼合后的所述第二瓷磚主體和所述第一瓷磚主體進行燒結處理，所述第二瓷磚主體燒結得到隔熱層，其中，所述燒結處理的溫度大于所述第一成型處理和所述第二成型處理中任一者的溫度。

10.一種可自熱瓷磚的制造方法，其特征在于，包括：

對第一漿料進行第一成型處理以得到第一瓷磚主體；

將第二漿料和隔熱材料混合并進行第二成型處理得到第二瓷磚主體，在所述第二瓷磚主體中，所述隔熱材料的占比大于所述第二漿料的占比；

在所述第二瓷磚主體上設置預定形狀的導電漿料；

將所述第一瓷磚主體貼合設置于所述第二瓷磚主體上，所述預定形狀的導電漿料位于所述第二瓷磚主體和第一瓷磚主體之間；

將貼合后的所述第二瓷磚主體和所述第一瓷磚主體進行燒結處理，所述第二瓷磚主體燒結得到隔熱層，所述導電漿料燒結形成加熱電阻，其中，所述燒結處理的溫度大于所述第一成型處理和所述第二成型處理中任一者的溫度。