[發明專利]存儲芯片的測試方法、裝置、設備及存儲介質

有效

• 申請號: 202210495827.9
• 申請日: 2022-05-09
• 公開（公告）號: CN114639434B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 劉東
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司;長鑫集電（北京）存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C29/14
• 分類號: G11C29/14;G11C29/12;G11C29/44
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 李俊紅

本發明提供一種存儲芯片的測試方法、裝置、設備及介質，涉及半導體技術領域。存儲芯片的測試方法包括：在待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據；從存儲單元中讀取存儲數據；根據測試數據和存儲數據，生成待測存儲芯片的測試結果；其中，待測存儲芯片的當前寫入選通脈沖寬度小于待測存儲芯片的標準寫入選通脈沖寬度，和/或，待測存儲芯片的當前讀取選通脈沖寬度小于待測存儲芯片的標準讀取選通脈沖寬度。本發明通過制造不利于準確寫入測試數據或讀取存儲數據的條件，從而精準檢測存儲芯片是否存在數據寫入或讀取異常的情況，提升產品良率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種存儲芯片的測試方法、裝置、設備及介質。

背景技術

動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的存儲單元因工藝制程差異等原因，在數據寫入和數據讀取過程中，可能出現數據讀寫錯誤的情況，使得DRAM 可靠性降低。

發明內容

以下是對本發明詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

本發明提供一種存儲芯片的測試方法、裝置、設備及存儲介質。

根據本發明實施例的第一方面，提供一種存儲芯片的測試方法，所述存儲芯片的測試方法包括：

在待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據；

從所述存儲單元中讀取存儲數據；

根據所述測試數據和所述存儲數據，生成所述待測存儲芯片的測試結果；

其中，所述待測存儲芯片的當前寫入選通脈沖寬度小于所述待測存儲芯片的標準寫入選通脈沖寬度，和/或，所述待測存儲芯片的當前讀取選通脈沖寬度小于所述待測存儲芯片的標準讀取選通脈沖寬度。

根據本發明的一些實施例，在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據之前，所述待測存儲芯片的預設感測延遲時間大于所述待測存儲芯片的標準感測延遲時間。

根據本發明的一些實施例，在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據之前，所述待測存儲芯片的預設位線高電位電壓大于所述待測存儲芯片的標準位線高電位電壓。

根據本發明的一些實施例，從所述存儲單元中讀取測試數據時，所述目標讀取時序參數小于所述存儲芯片的標準讀取時序參數。

根據本發明的一些實施例，所述寫入測試數據與所述讀取存儲數據為一個檢測周期，其中，所述存儲芯片的每一列存儲單元采用至少一個檢測周期進行測試。

根據本發明的一些實施例，所述存儲單元中的行存儲單元通過遍歷訪問的形式寫入測試數據，其中，所述遍歷訪問的形式包括沿Y軸方向執行。

根據本發明的一些實施例，所述存儲單元中的行存儲單元通過遍歷訪問的形式讀取存儲數據，其中，所述遍歷訪問的形式包括沿X軸方向執行。

根據本發明的一些實施例，所述存儲單元的行存儲單元或者列存儲單元的位數為大于寫入測試數據的位數。

根據本發明的一些實施例，所述存儲單元的行存儲單元或者列存儲單元的位數為寫入測試數據的位數的整數倍。

根據本發明的一些實施例，所述測試數據包括至少一個二進制序列。

根據本發明的一些實施例，在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據與從所述存儲單元中讀取存儲數據之間，具有時間間隔。

根據本發明的一些實施例，所述根據所述測試數據和所述存儲數據，生成所述待測存儲芯片的測試結果，包括：

對比所述測試數據與所述存儲數據，并根據對比結果確定所述待測存儲芯片是否發生讀寫錯誤；若是，則根據所述對比結果確定發生讀寫錯誤的位數；