[發明專利]存儲芯片的測試方法、裝置、設備及存儲介質

有效

• 申請號: 202210495827.9
• 申請日: 2022-05-09
• 公開（公告）號: CN114639434B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 劉東
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司;長鑫集電（北京）存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C29/14
• 分類號: G11C29/14;G11C29/12;G11C29/44
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 李俊紅

1.一種存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述存儲芯片的測試方法包括：

在待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據；

其中，在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據之前，所述待測存儲芯片的預設感測延遲時間大于所述待測存儲芯片的標準感測延遲時間；所述待測存儲芯片的預設位線高電位電壓大于所述待測存儲芯片的標準位線高電位電壓；

從所述存儲單元中讀取存儲數據；

其中，從所述存儲單元中讀取測試數據時，目標讀取時序參數小于所述存儲芯片的標準讀取時序參數，所述目標讀取時序參數為行地址預充電時長；

根據所述測試數據和所述存儲數據，生成所述待測存儲芯片的測試結果；

其中，所述待測存儲芯片的當前寫入選通脈沖寬度小于所述待測存儲芯片的標準寫入選通脈沖寬度，和/或，所述待測存儲芯片的當前讀取選通脈沖寬度小于所述待測存儲芯片的標準讀取選通脈沖寬度。

2.根據權利要求1所述的存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述寫入測試數據與所述讀取存儲數據為一個檢測周期，其中，所述存儲芯片的每一列存儲單元采用至少一個檢測周期進行測試。

3.根據權利要求1所述的存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述存儲單元中的行存儲單元通過遍歷訪問的形式寫入測試數據，其中，所述遍歷訪問的形式包括沿Y軸方向執行。

4.根據權利要求1所述的存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述存儲單元中的行存儲單元通過遍歷訪問的形式讀取存儲數據，其中，所述遍歷訪問的形式包括沿X軸方向執行。

5.根據權利要求3所述的存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述存儲單元的行存儲單元或者列存儲單元的位數為大于寫入測試數據的位數。

6.根據權利要求3所述的存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述存儲單元的行存儲單元或者列存儲單元的位數為寫入測試數據的位數的整數倍。

7.根據權利要求3所述的存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述測試數據包括至少一個二進制序列。

8.根據權利要求1所述的存儲芯片的測試方法，其特征在于，在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據與從所述存儲單元中讀取存儲數據之間，具有時間間隔。

9.根據權利要求1所述的存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述根據所述測試數據和所述存儲數據，生成所述待測存儲芯片的測試結果，包括：

對比所述測試數據與所述存儲數據，并根據對比結果確定所述待測存儲芯片是否發生讀寫錯誤；若是，則根據所述對比結果確定發生讀寫錯誤的位數；

根據所述待測存儲芯片的存儲單元是否發生讀寫錯誤的確定結果，生成所述待測存儲芯片的測試結果。

10.根據權利要求1所述的存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述存儲芯片的測試環境為低溫環境。

11.一種存儲芯片的測試裝置，其特征在于，所述測試裝置包括：

寫入模塊，被配置為，在待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據；

其中，在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據之前，所述待測存儲芯片的預設感測延遲時間大于所述待測存儲芯片的標準感測延遲時間；所述待測存儲芯片的預設位線高電位電壓大于所述待測存儲芯片的標準位線高電位電壓；

讀取模塊，被配置為，從所述存儲單元中讀取存儲數據；

其中，從所述存儲單元中讀取測試數據時，目標讀取時序參數小于所述存儲芯片的標準讀取時序參數，所述目標讀取時序參數為行地址預充電時長；

處理模塊，被配置為，根據所述測試數據和所述存儲數據，生成所述待測存儲芯片的測試結果；

其中，所述待測存儲芯片的當前寫入選通脈沖寬度小于所述待測存儲芯片的標準寫入選通脈沖寬度，并且所述待測存儲芯片的當前讀取選通脈沖寬度小于所述待測存儲芯片的標準讀取選通脈沖寬度。