[發明專利]一種氧化鉿基鐵電薄膜的制備工藝在審
| 申請號： | 202210486187.5 | 申請日： | 2022-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN114864558A | 公開（公告）日： | 2022-08-05 |
| 發明（設計）人： | 廖佳佳;周益春;郝璞琪;廖敏 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;H01L27/11502;H01L49/02 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 鉿基鐵電 薄膜 制備 工藝 | ||
1.一種氧化鉿基鐵電薄膜的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
沉積氧化鉿基薄膜；
對所述氧化鉿基薄膜進行快速退火處理；
所述快速退火處理具體為：以15-3000℃/s的速率升溫至300-1100℃，保溫1-300s后于室溫或0度去離子水、液氮或液氦中降溫。
2.根據權利要求1所述的一種氧化鉿基鐵電薄膜的制備工藝，其特征在于，氧化鉿基薄膜的沉積溫度不高于300℃。
3.根據權利要求1所述的一種氧化鉿基鐵電薄膜的制備工藝，其特征在于，所述氧化鉿基薄膜為非摻雜氧化鉿薄膜或摻雜氧化鉿薄膜。
4.根據權利要求1所述的一種氧化鉿基鐵電薄膜的制備工藝，其特征在于，所述摻雜氧化鉿薄膜中的摻雜元素為鋯、釔、鋁、硅、釓、鍶、鑭、氮、鐵、镥、鐠、鍺、鈧、鈰、釹、鎂、鋇、銦、鎵或鈣中的一種或多種。
5.根據權利要求1-4任一項所述的制備工藝制備得到的氧化鉿基鐵電薄膜。
6.如權利要求5所述的氧化鉿基鐵電薄膜在鐵電存儲器或負電容晶體管中的應用。
7.一種鐵電電容，其特征在于，所述鐵電電容中的鐵電薄膜采用權利要求5所述的氧化鉿基鐵電薄膜。
8.一種權利要求7所述的鐵電電容的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1，在襯底上沉積鐵電電容的下電極；
步驟2，在所述鐵電電容的下電極上沉積氧化鉿基薄膜；
步驟3，在所述氧化鉿基薄膜上制備鐵電電容的上電極；
步驟4，進行快速退火處理，得到所述鐵電電容；
所述快速退火處理具體為：以15-3000℃/s的速率升溫至300-1100℃，保溫1-300s后于室溫去離子水、0度去離子水、液氮或液氦中降溫。
9.一種權利要求7所述的鐵電電容的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1，在襯底上沉積鐵電電容的下電極；
步驟2，在所述鐵電電容的下電極上沉積氧化鉿基薄膜；
步驟3，進行快速退火處理；所述快速退火處理具體為：以15-3000℃/s的速率升溫至300-1100℃，保溫1-300s后于室溫去離子水、0度去離子水、液氮或液氦中降溫；
步驟4，在進行退火處理后的氧化鉿基薄膜上制備鐵電電容的上電極，得到所述鐵電電容。
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