[發(fā)明專利]一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環(huán)的清洗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210485941.3 | 申請日： | 2022-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN114904835A | 公開（公告）日： | 2022-08-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 合肥升滕半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | B08B3/04 | 分類號： | B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12;B24C1/04;B24C11/00;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京眾允專利代理有限公司 11803 | 代理人： | 沈小青 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 適用于 物理 沉積 工藝 陶瓷 絕緣 清洗 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環(huán)的清洗方法，涉及陶瓷絕緣環(huán)清洗技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：S1、遮蔽操作；S2、噴砂操作；S3、堿洗操作；S4、水洗操作一；S5、酸蝕操作；S6、水洗操作二；S7、超聲處理；S8、檢測操作；S9、水洗研磨操作；S10、烘干操作；S11、二次遮蔽操作；S12、二次噴砂操作；S13、二次檢測操作；S14、二次超聲操作；S15、二次烘干操作。本發(fā)明通過對產(chǎn)品進行遮蔽、噴砂、堿洗、水洗研磨、酸蝕、超聲以及烘干操作，實現(xiàn)對陶瓷絕緣環(huán)的表面的沉積物進行清洗操作，便于實現(xiàn)陶瓷絕緣環(huán)的清洗以及清洗效果好，從而進一步提高了陶瓷絕緣環(huán)在使用過程中功能穩(wěn)定以及利用率高的效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及陶瓷絕緣環(huán)清洗技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環(huán)的清洗方法。
背景技術(shù)
物理氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，物理氣相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一，陶瓷絕緣環(huán)用于制造IC(集成電路)的PVD(物理氣相沉積)中的工藝腔體中，PVD技術(shù)其原理是在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)電離，在電場的作用下，使被蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在工件上，其制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數(shù)、很好的耐磨性和化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點。
PVD鍍膜技術(shù)是一種能夠無污染的環(huán)保型表面處理方法，它能夠制備各種單一金屬膜(如鋁、鈦、鋯、鉻等)、氮化物膜(TiN[鈦金]、ZrN〔鋯金〕、CrN、TiAlN)和碳化物膜(TiC、TiCN)，以及氧化物膜(如TiO等)。陶瓷絕緣環(huán)起到絕緣的作用，具有功能穩(wěn)定，利用率高的特點，它在工藝腔體內(nèi)部會有沉積物附著，故對其沉積物的完全去除就至關(guān)重要，為此，我們提出了一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環(huán)的清洗方法來解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環(huán)的清洗方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環(huán)的清洗方法，包括以下步驟：
S1、遮蔽操作：對產(chǎn)品進行自檢操作后，對產(chǎn)品非使用的區(qū)域進行遮蔽處理；
S2、噴砂操作：對步驟S1中產(chǎn)品的沉積物區(qū)域進行噴砂處理，噴砂后用CDA吹掃操作；
S3、堿洗操作：對步驟S2中噴砂后產(chǎn)品的外觀進行檢測操作，檢測合格后，對遮蔽區(qū)域進行去除操作后對產(chǎn)品進行堿洗操作；
S4、水洗操作一：將步驟S3中堿洗操作的產(chǎn)品進行水洗操作，水洗浸泡的時間為3～5min，溫度為常溫溫度；
S5、酸蝕操作：將步驟S4水洗操作后的產(chǎn)品進行酸蝕操作；
S6、水洗操作二：將步驟S5中酸蝕操作后的產(chǎn)品進行水洗操作，水洗浸泡的時間為3～5min，溫度為常溫溫度；
S7、超聲處理：對步驟S6中水洗后的產(chǎn)品進行超聲處理，超聲的時間為5～10min，超聲的頻率為20KHZ～100KHZ；
S8、檢測操作：對步驟S7中超聲后的產(chǎn)品進行外觀檢測操作；
S9、水洗研磨操作：對步驟S8中產(chǎn)品進行百潔布濕式打磨，對沉積物進一步的去除；
S10、烘干操作：將步驟S9中水洗研磨后的產(chǎn)品在烤箱中高溫烘烤操作；
S11、二次遮蔽操作：對步驟S10中烘干處理后的產(chǎn)品再次進行自檢操作，自檢完成后，對產(chǎn)品非使用的區(qū)域進行遮蔽處理，采用熱熔遮蔽膠帶遮蔽；
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