[發明專利]一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法

在審

• 申請號: 202210485941.3
• 申請日: 2022-05-06
• 公開（公告）號: CN114904835A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 許杰
• 申請（專利權）人: 合肥升滕半導體技術有限公司
• 主分類號: B08B3/04
• 分類號: B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12;B24C1/04;B24C11/00;C23C14/56
• 代理公司: 北京眾允專利代理有限公司 11803
• 代理人: 沈小青

1.一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、遮蔽操作：對產品進行自檢操作后，對產品非使用的區域進行遮蔽處理；

S2、噴砂操作：對步驟S1中產品的沉積物區域進行噴砂處理，噴砂后用CDA吹掃操作；

S3、堿洗操作：對步驟S2中噴砂后產品的外觀進行檢測操作，檢測合格后，對遮蔽區域進行去除操作后對產品進行堿洗操作；

S4、水洗操作一：將步驟S3中堿洗操作的產品進行水洗操作，水洗浸泡的時間為3～5min，溫度為常溫溫度；

S5、酸蝕操作：將步驟S4水洗操作后的產品進行酸蝕操作；

S6、水洗操作二：將步驟S5中酸蝕操作后的產品進行水洗操作，水洗浸泡的時間為3～5min，溫度為常溫溫度；

S7、超聲處理：對步驟S6中水洗后的產品進行超聲處理，超聲的時間為5～10min，超聲的頻率為20KHZ～100KHZ；

S8、檢測操作：對步驟S7中超聲后的產品進行外觀檢測操作；

S9、水洗研磨操作：對步驟S8中產品進行百潔布濕式打磨，對沉積物進一步的去除；

S10、烘干操作：將步驟S9中水洗研磨后的產品在烤箱中高溫烘烤操作；

S11、二次遮蔽操作：對步驟S10中烘干處理后的產品再次進行自檢操作，自檢完成后，對產品非使用的區域進行遮蔽處理，采用熱熔遮蔽膠帶遮蔽；

S12、二次噴砂操作:將步驟S12中自檢后的產品進行噴砂操作，噴砂后用CDA吹掃；采用20～40#白剛玉對沉積物區域進行噴砂處理；

S13、二次檢測操作：對步驟S11中產品的遮蔽膠帶進行去除，去除后對產品的粗糙度進行檢測；

S14、二次超聲操作：對步驟S13中檢測處理后的產品進行超聲處理，超聲的時間為5～10min，超聲頻率為20KHZ～100KHZ；

S15、二次烘干操作：將步驟S14中超聲后的產品在60～90℃的烤箱中高溫烘烤1～3H，完成烘干操作。

2.根據權利要求1所述的一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法，其特征在于，所述步驟S1中的遮蔽處理采用熱熔遮蔽膠帶進行遮蔽操作。

3.根據權利要求1所述的一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法，其特征在于，所述步驟S2中采用100～180#白剛玉對沉積物區域進行噴砂處理，噴砂的壓力為3.0kg。

4.根據權利要求1所述的一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法，其特征在于，所述步驟S3中堿洗的時間為5～8min，溫度為常溫溫度，堿洗液的成分包括氫氧化鉀與氫氧化鈉中的一種或兩種混合物，且堿洗液的濃度為10～20％。

5.根據權利要求1所述的一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法，其特征在于，所述步驟S3中采用手電筒對噴砂區域進行觀察，看沉積層是否除去干凈。

6.根據權利要求1所述的一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法，其特征在于，所述步驟S4中水洗完成后取出時用小水槍沖洗操作。

7.根據權利要求1所述的一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法，其特征在于，所述步驟S5中酸蝕的時間為3～10min，溫度為常溫溫度，酸蝕液的濃度為20～30％，酸蝕液的成分包括氫氟酸，硝酸，硫酸，磷酸的一種或者多種。

8.根據權利要求1所述的一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法，其特征在于，所述步驟S6中水洗完成后取出時用小水槍沖洗操作；所述步驟S10中高溫烘烤的時間為60～90℃下烘烤1～3H。

9.根據權利要求1所述的一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法，其特征在于，所述步驟S8中的檢測操作為產品的外觀無異物殘留，無異色以及無磕碰。

10.根據權利要求1所述的一種適用于物理氣相沉積工藝的陶瓷絕緣環的清洗方法，其特征在于，所述步驟S13中產品的粗糙度為RA：5～7um。