[發(fā)明專利]晶圓表面缺陷的檢測方法、系統(tǒng)、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210485737.1
• 申請日: 2022-05-06
• 公開（公告）號: CN114878590A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳偉;孫玲
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95;G01B11/24
• 代理公司: 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 郭鳳杰

本申請涉及一種晶圓表面缺陷的檢測方法、系統(tǒng)、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。晶圓表面缺陷的檢測方法，包括：獲取目標生產(chǎn)工藝前晶圓表面缺陷的第一缺陷分布圖和目標生產(chǎn)工藝后晶圓表面缺陷的第二缺陷分布圖；以第一缺陷分布圖中缺陷的中心為中心的建立第一幾何圖形；以第二缺陷分布圖中缺陷的中心為中心建立第二幾何圖形，第二幾何圖形由閉合輪廓線圍設(shè)形成；對第一缺陷分布圖和第二缺陷分布圖進行疊圖，根據(jù)第二幾何圖形和第一幾何圖形之間的重疊狀態(tài)，判斷第二缺陷分布圖中缺陷的新增狀態(tài)，以檢測晶圓表面的缺陷情況。本申請實施例能夠有效提高缺陷檢測準確度。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及缺陷分析技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶圓表面缺陷的檢測方法、系統(tǒng)、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)

在半導體的生產(chǎn)過程中，常會在晶圓表面引入缺陷。而缺陷的引入影響最終產(chǎn)品的性能。因此，需要對各相關(guān)工藝過程中的晶圓表面進行缺陷檢測，以監(jiān)控相應的工藝機臺的生產(chǎn)狀況。當工藝機臺進行生產(chǎn)工藝而產(chǎn)生的缺陷數(shù)量大于超過規(guī)定規(guī)格，則系統(tǒng)會讓機臺宕機。

缺陷疊圖可以應用在生產(chǎn)工藝過程中產(chǎn)生的缺陷的分析上。具體地，在生產(chǎn)工藝前與生產(chǎn)工藝后均對晶圓表面的缺陷進行掃描檢測。傳統(tǒng)的疊圖方法，以生產(chǎn)工藝前各個缺陷的中心點作為圓心制作具有一定半徑的圓，以作為疊圖范圍。然后，檢測生產(chǎn)工藝后各個缺陷的中心點是否位于疊圖范圍內(nèi)，從而判斷生產(chǎn)工藝后的各個缺陷是否為新增缺陷，從而獲取該生產(chǎn)工藝過程中新增的缺陷數(shù)量。

然而，傳統(tǒng)方法在一些情況下可能會出現(xiàn)缺陷誤判。如生產(chǎn)工藝前掃描獲取的缺陷包括聚集缺陷，聚集缺陷尺寸超過疊圖范圍。而生產(chǎn)工藝后掃描時，由于受到工藝或掃描程式影響，原有的聚集缺陷不再是聚集缺陷。此時，傳統(tǒng)的缺陷疊圖就會出現(xiàn)疊圖錯誤，使得重復性缺陷被誤認為是新增缺陷，進而可能會導致機臺錯誤宕機而影響產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對上述技術(shù)問題，本申請實施例提供一種能夠提高缺陷檢測準確度的晶圓表面缺陷的檢測方法、系統(tǒng)、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。

一種晶圓表面缺陷的檢測方法，包括：

獲取目標生產(chǎn)工藝前晶圓表面缺陷的第一缺陷分布圖和目標生產(chǎn)工藝后晶圓表面缺陷的第二缺陷分布圖；

以所述第一缺陷分布圖中缺陷的中心為中心的建立第一幾何圖形；

以所述第二缺陷分布圖中缺陷的中心為中心建立第二幾何圖形，所述第二幾何圖形由閉合輪廓線圍設(shè)形成；

對所述第一缺陷分布圖和所述第二缺陷分布圖進行疊圖，根據(jù)所述第二幾何圖形和第一幾何圖形之間的重疊狀態(tài)，判斷所述第二缺陷分布圖中缺陷的新增狀態(tài)，以檢測所述晶圓表面的缺陷情況。

在其中一個實施例，所述第二幾何圖形是規(guī)則幾何圖形。

在其中一個實施例，所述規(guī)則幾何圖形為矩形或圓形。

在其中一個實施例，所述第二幾何圖形的尺寸由相應缺陷在第一方向上的尺寸和第二方向上的尺寸確定，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直。

在其中一個實施例，所述第二幾何圖形的邊緣輪廓基于對應的所述第二缺陷分布圖中缺陷的邊緣輪廓向外周延伸第二預設(shè)距離，以使所述第二幾何圖形的邊緣輪廓大于對應的所述第二缺陷分布圖中缺陷的邊緣輪廓。

在其中一個實施例，所述第二幾何圖形為具有預設(shè)邊長的正方形或具有第二預設(shè)半徑的圓形，且所述第二幾何圖形的中心為對應的第二缺陷分布圖中缺陷的中心。

在其中一個實施例，判斷所述第二缺陷分布圖中缺陷的新增狀態(tài)的過程包括：

當所述第二幾何圖形在所述第一幾何圖形內(nèi)或與所述第一幾何圖形相交時，所述缺陷為重復性缺陷；

當所述第二幾何圖形的邊緣輪廓在所述第一幾何圖形外時，所述缺陷為新增缺陷。