[發明專利]晶圓表面缺陷的檢測方法、系統、計算機設備和存儲介質

在審

• 申請號: 202210485737.1
• 申請日: 2022-05-06
• 公開（公告）號: CN114878590A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 陳偉;孫玲
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95;G01B11/24
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 郭鳳杰

1.一種晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，包括：

獲取目標生產工藝前晶圓表面缺陷的第一缺陷分布圖和目標生產工藝后晶圓表面缺陷的第二缺陷分布圖；

以所述第一缺陷分布圖中缺陷的中心為中心的建立第一幾何圖形；

以所述第二缺陷分布圖中缺陷的中心為中心建立第二幾何圖形，所述第二幾何圖形由閉合輪廓線圍設形成；

對所述第一缺陷分布圖和所述第二缺陷分布圖進行疊圖，根據所述第二幾何圖形和第一幾何圖形之間的重疊狀態，判斷所述第二缺陷分布圖中缺陷的新增狀態，以檢測所述晶圓表面的缺陷情況。

2.根據權利要求1所述的種晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，所述第二幾何圖形是規則幾何圖形。

3.根據權利要求2所述的晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，所述規則幾何圖形為矩形或圓形。

4.根據權利要求1所述的晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，所述第二幾何圖形的尺寸由相應缺陷在第一方向上的尺寸和第二方向上的尺寸確定，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直。

5.根據權利要求4所述的晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，所述第二幾何圖形的邊緣輪廓基于對應的所述第二缺陷分布圖中缺陷的邊緣輪廓向外周延伸第二預設距離，以使所述第二幾何圖形的邊緣輪廓大于對應的所述第二缺陷分布圖中缺陷的邊緣輪廓。

6.根據權利要求1所述的晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，所述第二幾何圖形為具有預設邊長的正方形或具有第二預設半徑的圓形，且所述第二幾何圖形的中心為對應的第二缺陷分布圖中缺陷的中心。

7.根據權利要求1所述的晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，判斷所述第二缺陷分布圖中缺陷的新增狀態的過程包括：

當所述第二幾何圖形在所述第一幾何圖形內或與所述第一幾何圖形相交時，所述缺陷為重復性缺陷；

當所述第二幾何圖形的邊緣輪廓在所述第一幾何圖形外時，所述缺陷為新增缺陷。

8.根據權利要求1-7任一項所述的晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，所述第一幾何圖形邊緣輪廓至少包圍對應的所述第一缺陷分布圖中缺陷的邊緣輪廓。

9.根據權利要求8所述的晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，

所述第一幾何圖形的邊緣輪廓基于對應的所述第一缺陷分布圖中缺陷的邊緣輪廓向外周延伸第一預設距離，以使所述第一幾何圖形的邊緣輪廓大于對應的所述第一缺陷分布圖中缺陷的邊緣輪廓。

10.根據權利要求9所述的種晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，所述第一幾何圖形是矩形或圓形。

11.根據權利要求1所述的晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，所述第一缺陷分布圖中的缺陷包括離散缺陷和聚集缺陷。

12.根據權利要求11所述的種晶圓表面缺陷的檢測方法，其特征在于，

當第一缺陷分布圖中的缺陷為聚集缺陷時，所述第一幾何圖形邊緣輪廓至少包圍對應的所述第一缺陷分布圖中缺陷的邊緣輪廓；

當第一缺陷分布圖中的缺陷為離散缺陷時，所述第一幾何圖形為以對應的所述缺陷的中心為圓心而建立的具有第一預設半徑的圓。