[發(fā)明專利]一種極低ESR的晶片電容器單元的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210482670.6
• 申請(qǐng)日: 2022-05-05
• 公開（公告）號(hào): CN114664567A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉泳澎;陳桃桃;張小波;羅偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 肇慶綠寶石電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01G9/042
• 分類號(hào): H01G9/042;H01G9/15
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 胡昌志

1.一種極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

S1、在閥金屬箔片的陰極區(qū)通過真空化學(xué)聚合形成第一導(dǎo)電聚合層；

S2、在所述第一導(dǎo)電聚合層上通過真空電化學(xué)聚合形成第二導(dǎo)電聚合層；

S3、通過含浸導(dǎo)電石墨漿料在所述第二導(dǎo)電聚合層上形成石墨層，所述閥金屬箔片含浸完成后脫離所述導(dǎo)電石墨漿料時(shí)進(jìn)行雙軸震動(dòng)含浸槽體且脫離后通過高壓氣體去除多余的導(dǎo)電石墨漿料；

S4、通過含浸導(dǎo)電銀漿漿料在所述導(dǎo)電石墨層上形成導(dǎo)電銀層，所述閥金屬箔片含浸完成后脫離所述導(dǎo)電銀漿漿料時(shí)進(jìn)行雙軸震動(dòng)含浸槽體且脫離后通過軟絲去除多余的導(dǎo)電銀漿漿料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，所述S1、在閥金屬箔片的陰極區(qū)通過真空化學(xué)聚合形成第一導(dǎo)電聚合層，具體包括以下步驟：真空條件下，將閥金屬箔片的陰極區(qū)先含浸單體溶液再含浸氧化溶液，進(jìn)行至少1次循環(huán)，循環(huán)完成后再含浸單體溶液一次并進(jìn)行烘干；所述真空條件的真空度選自-90Kpa～-100Kpa。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，所述循環(huán)的過程中不進(jìn)行烘干。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，所述單體溶液由以下原料按重量百分比組成：?jiǎn)误w0.5wt％～13.5wt％、溶劑80wt％～95wt％、摻雜劑0.5wt％～5wt％、添加劑0.5wt％～2wt％；所述氧化溶液由以下原料按重量百分比組成：氧化劑1wt％～19wt％、溶劑81wt％～99wt％。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，所述S2、在所述第一導(dǎo)電聚合層上通過真空電化學(xué)聚合形成第二導(dǎo)電聚合層具體包括以下步驟：將具有第一導(dǎo)電聚合層的閥金屬箔片含浸聚合溶液進(jìn)行真空電化學(xué)聚合形成第二導(dǎo)電聚合層；所述真空條件的真空度選自-90Kpa～-100Kpa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，所述聚合溶液由以下原料按重量百分比組成：?jiǎn)误w0.5wt％～15wt％、溶劑80wt％～95wt％、摻雜劑2.5wt％～6wt％、添加劑0.5wt％～2wt％。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，所述摻雜劑選自聚乙烯磺酸及其鹽、聚苯乙烯磺酸及其鹽、脂肪族磺酸及其鹽、芳香族磺酸及其鹽、間磺基苯甲酰胺、3-磺基-1，8-萘二甲酸酐和4-磺基-1，8-萘二甲酸酐、碘化鈉中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，所述添加劑選自氟化丙烯酸共聚物、對(duì)苯二酚衍生物、油酸三乙醇胺和油酸肌氨酸鈉中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，所述真空電化學(xué)聚合的聚合溫度選自2℃～10℃，聚合電流選自0.004A～0.5A，聚合時(shí)間選自1h～23h。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，步驟S3和步驟S4中，所述雙軸震動(dòng)的X軸震動(dòng)頻率為15Hz～75Hz和Y軸震動(dòng)頻率為5Hz～65Hz。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低ESR的晶片電容器單元的制備方法，其特征在于，步驟S3中，所述脫離后通過高壓氣體去除多余的導(dǎo)電石墨漿料具體是指：閥金屬箔片脫離所述導(dǎo)電石墨漿料后通過移動(dòng)的風(fēng)刀朝向所述閥金屬箔片的側(cè)面吹高壓氣體，以通過所述高壓氣體去除多余的導(dǎo)電石墨漿料；其中，所述風(fēng)刀設(shè)于所述閥金屬箔片的上方，沿所述閥金屬箔片的寬度方向移動(dòng)，所述風(fēng)刀的移動(dòng)速度為1cm/s～15cm/s，所述高壓氣體的壓強(qiáng)選自0.4MPa～1MPa。