[發明專利]一種驅動器使能的熱插拔結構有效
| 申請號: | 202210479969.6 | 申請日: | 2022-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN114826248B | 公開(公告)日: | 2023-07-07 |
| 發明(設計)人: | 喻丹;高國平;于群 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 楊強;楊立秋 |
| 地址: | 214000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 驅動器 熱插拔 結構 | ||
本發明公開一種驅動器使能的熱插拔結構,屬于集成電路領域,包括NMOS管N1~N3、反相器INV1~INV3、電阻R1、電容C1、上電電路和鎖存器;鎖存器的第一輸入端和所述電阻R1的第一端均接入DE信號,所述電阻R1的第二端同時接NMOS管N1的漏端、NMOS管N2的漏端和反相器INV3的輸入端;所述NMOS管N1的柵端接所述鎖存器的輸出端;所述NMOS管N2的柵端同時接反相器INV2的輸出端、鎖存器的第二輸入端和上電電路的輸入端;反相器INV2與反相器INV1串接,反相器INV1的輸入端同時接NMOS管N3的漏端和電容C1的第一端,所述電容C1的第二端接VCC;NMOS管N3的柵端接上電電路的輸出。在熱插拔之初,本發明利用對內部使能的強下拉,維持電路的輸出高阻態;電路結構簡單,應用范圍廣,適用于驅動器芯片設計中。
技術領域
本發明涉及集成電路技術領域,特別涉及一種驅動器使能的熱插拔結構。
背景技術
隨著電子技術的飛速發展,越來越多的電子產品進入生產生活。電子系統逐漸實現了功能的多樣化、模塊化。尤其是大型的電子系統中,集成的模塊越來越多,功能也越來越復雜。對于這些電子系統的可靠性保障就顯得尤為重要。
即插即用設備的出現,成為解決這一難題的方法。設備即插即用,就是當某個模塊出現故障,只需要對故障模塊進行插拔替換,快速解決問題。模塊電路的熱插拔使用,就是對總線接口類電路的熱插拔功能提出要求。如廣泛使用的接口驅動電路,往往起到電平轉換、平衡傳輸、或增強信號驅動能力的作用。這就需要驅動電路能夠滿足熱插拔功能。即電路在插拔替換過程中,不會因為誤導通而出現燒壞電路的情況,也不會由于倒灌電流造成主板電源跌落和總線信號異常。
一個典型驅動器的使能端口,往往直接連接芯片內部邏輯電路。在實際應用中,電路單板從主機上熱插拔,當電路單板插入主機時,主機已處于穩定工作狀態,所有電容均被充滿。而待插入的單板是不帶電的;當電路單板與主機背板接觸,對電路單板進行充電,將從主機吸入較大的瞬態電流。該過程產生的浪涌電流會造成使能端口出現不確定的狀態,可能導致輸出端口錯誤打開,導致浪涌電流流過電路從而燒毀電路。
發明內容
本發明的目的在于提供一種驅動器使能的熱插拔結構,以解決背景技術中的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供了一種驅動器使能的熱插拔結構,包括NMOS管N1~N3、反相器INV1~INV3、電阻R1、電容C1、上電電路和鎖存器;
所述鎖存器的第一輸入端和所述電阻R1的第一端均接入DE信號,所述電阻R1的第二端同時接NMOS管N1的漏端、NMOS管N2的漏端和反相器INV3的輸入端;
所述NMOS管N1的柵端接所述鎖存器的輸出端;所述NMOS管N2的柵端同時接反相器INV2的輸出端、所述鎖存器的第二輸入端和所述上電電路的輸入端;反相器INV2與反相器INV1串接,反相器INV1的輸入端同時接NMOS管N3的漏端和電容C1的第一端,所述電容C1的第二端接VCC;NMOS管N3的柵端接上電電路的輸出;
所述反相器INV3的輸出端接后端邏輯部分。
在發明的一種實施方式中,所述上電電路包括NMOS管N4~N6、PMOS管P1~P2;PMOS管P1的源端和襯底均接VCC,柵端接GND,漏端接NMOS管N4的漏端;NMOS管N4的柵端與自身漏端相連,源端作為所述上電電路輸出,同時連接NMOS管N5的漏端、NMOS管N6的柵端和PMOS管P2的漏端;
NMOS管N5的柵端和PMOS管P2的柵端相連作為所述上電電路的輸入端,所述上電電路的輸入端同時與NMOS管N2的柵端、反相器INV2的輸出端和所述鎖存器的第二輸入端相連;NMOS管N5的源端與NMOS管N6漏端相連;PMOS管P2的源端和襯底均接VCC;NMOS管N6的源端接地GND。
在發明的一種實施方式中,所述NMOS管N4~N6、PMOS管P1~P2的襯底均分別和自身源端相連。
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