[發(fā)明專利]一種驅(qū)動(dòng)器使能的熱插拔結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210479969.6
• 申請(qǐng)日: 2022-05-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114826248B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喻丹;高國(guó)平;于群
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
• 主分類號(hào): H03K19/0185
• 分類號(hào): H03K19/0185
• 代理公司: 無(wú)錫派爾特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊強(qiáng);楊立秋

1.一種驅(qū)動(dòng)器使能的熱插拔結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括NMOS管N1～N3、反相器INV1～I(xiàn)NV3、電阻R1、電容C1、上電電路和鎖存器；

所述鎖存器的第一輸入端和所述電阻R1的第一端均接入DE信號(hào)，所述電阻R1的第二端同時(shí)接NMOS管N1的漏端、NMOS管N2的漏端和反相器INV3的輸入端；

所述NMOS管N1的柵端接所述鎖存器的輸出端；所述NMOS管N2的柵端同時(shí)接反相器INV2的輸出端、所述鎖存器的第二輸入端和所述上電電路的輸入端；反相器INV2與反相器INV1串接，反相器INV1的輸入端同時(shí)接NMOS管N3的漏端和電容C1的第一端，所述電容C1的第二端接VCC；NMOS管N3的柵端接上電電路的輸出；

所述反相器INV3的輸出端接后端邏輯部分。

2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器使能的熱插拔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上電電路包括NMOS管N4～N6、PMOS管P1～P2；PMOS管P1的源端和襯底均接VCC，柵端接GND，漏端接NMOS管N4的漏端；NMOS管N4的柵端與自身漏端相連，源端作為所述上電電路輸出，同時(shí)連接NMOS管N5的漏端、NMOS管N6的柵端和PMOS管P2的漏端；

NMOS管N5的柵端和PMOS管P2的柵端相連作為所述上電電路的輸入端，所述上電電路的輸入端同時(shí)與NMOS管N2的柵端、反相器INV2的輸出端和所述鎖存器的第二輸入端相連；NMOS管N5的源端與NMOS管N6漏端相連；PMOS管P2的源端和襯底均接VCC；NMOS管N6的源端接地GND。

3.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)器使能的熱插拔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述NMOS管N4～N6、PMOS管P1～P2的襯底均分別和自身源端相連。

4.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器使能的熱插拔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鎖存器包括或非門(mén)NOR1和NOR2，或非門(mén)NOR1的一個(gè)輸入端連接NMOS管N2的柵端，另一個(gè)輸入端連接或非門(mén)NOR2的輸出端；或非門(mén)NOR2的一個(gè)輸入端連接DE信號(hào)，另一個(gè)輸入端連接或非門(mén)NOR1的輸出端；所述或非門(mén)NOR2的輸出端作為所述鎖存器整體的輸出端，與所述NMOS管N1的柵端相連。

5.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器使能的熱插拔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述NMOS管N1～N3的源端分別和自身的襯底共同接地GND。