[發明專利]晶圓測試裝置及測試方法和計算機存儲介質

在審

• 申請號: 202210465757.2
• 申請日: 2022-04-26
• 公開（公告）號: CN114910777A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 史云龍
• 申請（專利權）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 顧丹麗

本發明提供了一種晶圓測試裝置及測試方法和計算機存儲介質，所述晶圓測試方法包括：將待測晶圓表面劃分為多個測試區域，所述測試區域包含若干個待測芯片；獲取初始測試區域內的待測芯片所采用的初始針壓；獲取當前測試區域與所述初始測試區域內的待測芯片之間的高度差；根據所述高度差補償所述初始針壓，以獲得當前針壓；采用所述當前針壓測試所述當前測試區域內的待測芯片。本發明的技術方案使得在確保測試結果準確的同時，還能減少對芯片的損傷以及提高探針卡的壽命。

技術領域

本發明涉及半導體技術制造領域，特別涉及一種晶圓測試裝置及測試方法和計算機存儲介質。

背景技術

在晶圓測試過程中，通過針測機載臺帶動晶圓向探針卡靠近，實現晶圓上的導電結構與探針卡上的探針針尖良好接觸。在此過程中，按照給定的針壓直接測試，并且，對于翹曲過大的晶圓，在測試時會采用更大的針壓進行測試，以確保導電結構與探針針尖接觸的穩定性。但是，若翹曲晶圓上的所有芯片采用相同的針壓進行測試，會造成晶圓上的各個芯片表面的針痕深淺不一，導致芯片損傷以及降低探針卡的使用壽命。

因此，需要對翹曲晶圓的測試方法進行改進，以在確保測試準確的同時，還能減少對芯片的損傷以及提高探針卡的壽命。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶圓測試裝置及測試方法和計算機存儲介質，在確保測試結果準確的同時，還能減少對芯片的損傷以及提高探針卡的壽命。

為實現上述目的，本發明提供了一種晶圓測試方法，用于測試翹曲晶圓，包括：

將待測晶圓表面劃分為多個測試區域，所述測試區域包含若干個待測芯片；

獲取初始測試區域內的待測芯片所采用的初始針壓；

獲取當前測試區域與所述初始測試區域內的待測芯片之間的高度差；

根據所述高度差補償所述初始針壓，以獲得當前針壓；

采用所述當前針壓測試所述當前測試區域內的待測芯片。

可選地，各個所述測試區域的形狀相同，和/或，各個所述測試區域內的待測芯片數量相同。

可選地，所述測試區域的數量為38-100個。

可選地，獲取初始測試區域內的待測芯片所采用的初始針壓的步驟包括：

采用一針壓測試所述初始測試區域內的待測芯片；

判斷測試結果是否為電性導通，若是，則所述針壓為初始針壓，若否，則調整所述針壓，直至測試結果為電性導通。

可選地，獲取當前測試區域與所述初始測試區域內的待測芯片之間的高度差的步驟包括：

采用量測相機量測其與每個所述測試區域內的待測芯片之間的垂直距離；

計算當前測試區域內的待測芯片對應的所述垂直距離與初始測試區域內的待測芯片對應的所述垂直距離之間的差值，以獲得所述高度差。

可選地，獲取所述當前測試區域與所述初始測試區域內的待測芯片之間的高度差包括：獲取所述當前測試區域與所述初始測試區域內的處于中間位置的待測芯片之間的高度差。

本發明提供一種晶圓測試裝置，用于測試翹曲晶圓，包括：

區域劃分單元，其被配置為將待測晶圓表面劃分為多個測試區域，所述測試區域包含若干個待測芯片；

初始針壓獲取單元，其被配置為獲取初始測試區域內的待測芯片所采用的初始針壓；

高度差獲取單元，其被配置為獲取當前測試區域與所述初始測試區域內的待測芯片之間的高度差；

當前針壓獲取單元，其被配置為根據所述高度差補償所述初始針壓，以獲得當前針壓；