[發明專利]晶圓測試裝置及測試方法和計算機存儲介質

在審

• 申請號: 202210465757.2
• 申請日: 2022-04-26
• 公開（公告）號: CN114910777A
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 史云龍
• 申請（專利權）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 顧丹麗

1.一種晶圓測試方法，用于測試翹曲晶圓，其特征在于，包括：

將待測晶圓表面劃分為多個測試區域，所述測試區域包含若干個待測芯片；

獲取初始測試區域內的待測芯片所采用的初始針壓；

獲取當前測試區域與所述初始測試區域內的待測芯片之間的高度差；

根據所述高度差補償所述初始針壓，以獲得當前針壓；

采用所述當前針壓測試所述當前測試區域內的待測芯片。

2.如權利要求1所述的晶圓測試方法，其特征在于，各個所述測試區域的形狀相同，和/或，各個所述測試區域內的待測芯片數量相同。

3.如權利要求1所述的晶圓測試方法，其特征在于，所述測試區域的數量為38-100個。

4.如權利要求1所述的晶圓測試方法，其特征在于，獲取初始測試區域內的待測芯片所采用的初始針壓的步驟包括：

采用一針壓測試所述初始測試區域內的待測芯片；

判斷測試結果是否為電性導通，若是，則所述針壓為初始針壓，若否，則調整所述針壓，直至測試結果為電性導通。

5.如權利要求1所述的晶圓測試方法，其特征在于，獲取當前測試區域與所述初始測試區域內的待測芯片之間的高度差的步驟包括：

采用量測相機量測其與每個所述測試區域內的待測芯片之間的垂直距離；

計算當前測試區域內的待測芯片對應的所述垂直距離與初始測試區域內的待測芯片對應的所述垂直距離之間的差值，以獲得所述高度差。

6.如權利要求1所述的晶圓測試方法，其特征在于，獲取所述當前測試區域與所述初始測試區域內的待測芯片之間的高度差包括：獲取所述當前測試區域與所述初始測試區域內的處于中間位置的待測芯片之間的高度差。

7.一種晶圓測試裝置，用于測試翹曲晶圓，其特征在于，包括：

區域劃分單元，其被配置為將待測晶圓表面劃分為多個測試區域，所述測試區域包含若干個待測芯片；

初始針壓獲取單元，其被配置為獲取初始測試區域內的待測芯片所采用的初始針壓；

高度差獲取單元，其被配置為獲取當前測試區域與所述初始測試區域內的待測芯片之間的高度差；

當前針壓獲取單元，其被配置為根據所述高度差補償所述初始針壓，以獲得當前針壓；

測試單元，其被配置為采用所述當前針壓測試所述當前測試區域內的待測芯片。

8.如權利要求7所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述初始針壓獲取單元包括：

測試模塊，其被配置為采用一針壓測試所述初始測試區域內的待測芯片；

判斷模塊，其被配置為判斷測試結果是否為電性導通，若是，則所述針壓為初始針壓，若否，則調整所述針壓，直至測試結果為電性導通。

9.如權利要求7所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述高度差獲取單元包括：

量測相機，其被配置為量測其與每個所述測試區域內的待測芯片之間的垂直距離；

計算模塊，其被配置為計算當前測試區域內的待測芯片對應的所述垂直距離與初始測試區域內的待測芯片對應的所述垂直距離之間的差值，以獲得所述高度差。

10.如權利要求7所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述測試單元包括探針卡，所述探針卡上設置有一個探針。

11.如權利要求7所述的晶圓測試裝置，其特征在于，獲取所述當前測試區域與所述初始測試區域內的待測芯片之間的高度差包括：獲取所述當前測試區域與所述初始測試區域內的處于中間位置的待測芯片之間的高度差。

12.一種計算機存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至6中任一項所述的晶圓測試方法。