[發(fā)明專(zhuān)利]電阻器結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210455002.4
• 申請(qǐng)日: 2022-04-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114551432A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莫熙;蔣德舟;趙斌
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/01
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/01;H01L21/70;H01L49/02
• 代理公司: 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 馮啟正

本發(fā)明提供了一種電阻器結(jié)構(gòu)及其制造方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供了一種電阻器結(jié)構(gòu)的制造方法，通過(guò)在利用現(xiàn)有技術(shù)形成MIM電容器結(jié)構(gòu)的過(guò)程中，利用該MIM電容器結(jié)構(gòu)的金屬上極板的部分區(qū)域作為薄膜電阻器件使用，以替代傳統(tǒng)工藝形成的多晶硅電阻。由于在本發(fā)明提供的電阻器結(jié)構(gòu)的制造方法中，其是利用MIM電容器結(jié)構(gòu)的金屬上極板其溫度系數(shù)低的特性，從而形成一種溫度系數(shù)低、電阻精度高的薄膜電阻，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)解決多晶硅電阻由于溫度系數(shù)太大，無(wú)法配置高精度電阻的缺點(diǎn)，并在利用已有資源的基礎(chǔ)上，節(jié)約了形成電阻器件的制造成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電阻器結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

在制造例如集成電路的半導(dǎo)體產(chǎn)品，通常需要在半導(dǎo)體產(chǎn)品中的某一部件或某些部件設(shè)置電阻器件。目前，常用的電阻器件為多晶硅電阻Poly電阻。具體的，現(xiàn)有的多晶硅電阻的形成方法是利用摻雜的多晶硅膜層可以改變多晶硅電阻值的特性，將摻雜后的多晶硅作為電阻器件。

然而，由于摻雜的多晶硅電阻其內(nèi)部的載流子受到溫度的變化時(shí)，會(huì)出現(xiàn)對(duì)多晶硅阻值的影響，降低了多晶硅電阻的精度，從而無(wú)法配備給高精度和溫漂小的產(chǎn)品使用。并且，如果電阻器件是半導(dǎo)體產(chǎn)品中不可缺少的部件，則每個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品必須根據(jù)其自身的特性自定制工藝而為該半導(dǎo)體產(chǎn)品提供特定的電阻器件，這將造成電阻器件制造成本高、不利于產(chǎn)品商業(yè)化以及無(wú)法收益用戶(hù)的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種電阻器結(jié)構(gòu)及其制造方法，以提出一種新型的利用現(xiàn)有的MIM電容器件形成電阻器件結(jié)構(gòu)的制造方法，以解決現(xiàn)有現(xiàn)有技術(shù)中的多晶硅電阻存在溫度系數(shù)大，進(jìn)而造成的電阻器件精度低的問(wèn)題。

第一方面，為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種電阻器結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供一表面形成有第一金屬層的半導(dǎo)體襯底。

依次形成第一介電層和第二金屬層于所述第一金屬層的表面上，以在利用充當(dāng)MIM電容器的上極板的部分所述第二金屬層形成電阻器結(jié)構(gòu)的同時(shí)形成MIM電容器，所述MIM電容器自上而下包括充當(dāng)上極板的剩余部分所述第二金屬層、第一介電層和充當(dāng)下極板的所述第一金屬層。

進(jìn)一步的，形成所述第二金屬層的步驟，可以包括：

在所述第一介電層的表面上沉積第二金屬層。

利用MIM電容器的上極板光罩，對(duì)沉積在所述第一介電層表面上的所述第二金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕工藝，其中，所述MIM電容器的上極板光罩中定義有用于形成所述電阻器結(jié)構(gòu)的圖案和用于形成所述MIM電容器上極板的圖案。

進(jìn)一步的，所述MIM電容器的上極板光罩上定義的用于形成所述電阻器結(jié)構(gòu)的圖案與所述用于形成所述MIM電容器上極板的圖案橫向排列且不相接。

進(jìn)一步的，所述第二金屬層的材料可以包括氮化鈦。

進(jìn)一步的，在形成所述電阻器結(jié)構(gòu)和所述MIM電容器之后，所述方法還可以包括：

在所述第二金屬層的表面上形成第二介電層，并通過(guò)光刻和刻蝕工藝在所述第二介電層中形成用于電性連接所述電阻器結(jié)構(gòu)的第一通孔和用于電性連接所述MIM電容器的第二通孔。

在所述第一通孔和所述第二通孔中填充導(dǎo)電材料。

在所述第二介電層的表面上形成與填充有導(dǎo)電材料后的所述第一通孔和所述第二通孔電性連接的第三金屬層。

第二方面，基于如上所述的電阻器結(jié)構(gòu)的制造方法，所述電阻器結(jié)構(gòu)可以采用如上所述的電阻器結(jié)構(gòu)的制造方法制備而成。

第三方面，基于如上所述的電阻器結(jié)構(gòu)的制造方法，本發(fā)明還提供了一種MIM電容器的制造方法，可以包括：

提供一表面形成有第一金屬層的半導(dǎo)體襯底。