[發明專利]電阻器結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202210455002.4
• 申請日: 2022-04-28
• 公開（公告）號: CN114551432A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 莫熙;蔣德舟;趙斌
• 申請（專利權）人: 廣州粵芯半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;H01L21/70;H01L49/02
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 馮啟正

1.一種電阻器結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供一表面形成有第一金屬層的半導體襯底；

依次形成第一介電層和第二金屬層于所述第一金屬層的表面上，以在利用充當MIM電容器的上極板的部分所述第二金屬層形成電阻器結構的同時形成MIM電容器，所述MIM電容器自上而下包括充當上極板的剩余部分所述第二金屬層、第一介電層和充當下極板的所述第一金屬層。

2.如權利要求1所述的電阻器結構的制造方法，其特征在于，形成所述第二金屬層的步驟，包括：

在所述第一介電層的表面上沉積第二金屬層；

利用MIM電容器的上極板光罩，對沉積在所述第一介電層表面上的所述第二金屬層進行光刻和刻蝕工藝，其中，所述MIM電容器的上極板光罩中定義有用于形成所述電阻器結構的圖案和用于形成所述MIM電容器上極板的圖案。

3.如權利要求2所述的電阻器結構的制造方法，其特征在于，所述MIM電容器的上極板光罩上定義的用于形成所述電阻器結構的圖案與所述用于形成所述MIM電容器上極板的圖案橫向排列且不相接。

4.如權利要求1所述的電阻器結構的制造方法，其特征在于，所述第二金屬層的材料包括氮化鈦。

5.如權利要求1所述的電阻器結構的制造方法，其特征在于，在形成所述電阻器結構和所述MIM電容器之后，所述方法還包括：

在所述第二金屬層的表面上形成第二介電層，并通過光刻和刻蝕工藝在所述第二介電層中形成用于電性連接所述電阻器結構的第一通孔和用于電性連接所述MIM電容器的第二通孔；

在所述第一通孔和所述第二通孔中填充導電材料；

在所述第二介電層的表面上形成與填充有導電材料后的所述第一通孔和所述第二通孔電性連接的第三金屬層。

6.一種電阻器結構，其特征在于，所述電阻器結構采用權利要求1~5任一項所述的電阻器結構的制造方法制備而成。

7.一種MIM電容器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一表面形成有第一金屬層的半導體襯底；

依次形成第一介電層和第二金屬層于所述第一金屬層的表面上，以在利用充當MIM電容器的上極板的部分所述第二金屬層形成電阻器結構的同時形成MIM電容器，所述MIM電容器自上而下包括充當上極板的剩余部分所述第二金屬層、第一介電層和充當下極板的所述第一金屬層。

8.如權利要求7所述的MIM電容器的制造方法，其特征在于，所述第二金屬層的材料包括氮化鈦。

9.如權利要求7所述的MIM電容器的制造方法，其特征在于，形成所述第二金屬層的步驟，包括：

在所述第一介電層的表面上沉積第二金屬層；

利用MIM電容器的上極板光罩，對沉積在所述第一介電層表面上的所述第二金屬層進行光刻和刻蝕工藝，其中，所述MIM電容器的上極板光罩中定義有用于形成所述電阻器結構的圖案和用于形成所述MIM電容器上極板的圖案。

10.如權利要求9所述的MIM電容器的制造方法，其特征在于，所述MIM電容器的上極板光罩上定義的用于形成所述電阻器結構的圖案與所述用于形成所述MIM電容器上極板的圖案橫向排列且不相接。

11.一種基于如權利要求7至10中任一項所述的MIM電容器的制造方法制造的MIM電容器，其特征在于，包括：

半導體襯底；

第一金屬層，位于所述半導體襯底的表面上，并作為所述MIM電容器的下極板；

第一介電層，位于所述第一金屬層的表面上，并作為所述MIM電容器的介質層；

第二金屬層，位于所述第一介電層的表面上，其中，部分所述第二金屬層作為所述MIM電容器的上極板，而剩余部分所述第二金屬層作為所述MIM電容器中包含的電阻器結構。