[發(fā)明專利]一種顯示模塊、Mini LED芯片及其制備方法

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• 申請日: 2022-04-27
• 公開（公告）號: CN114824044A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設計）人: 莊文榮;盧敬權
• 申請（專利權）人: 東莞市中麒光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李慧慧

本發(fā)明屬于LED技術領域，公開了一種顯示模塊、Mini LED芯片及其制備方法，包括：提供加工襯底，基于加工襯底制備Mini LED芯片初胚；倒置Mini LED芯片初胚和加工襯底，剝離加工襯底；提供透光襯底，并層疊于倒置的Mini LED芯片初胚上，于Mini LED芯片初胚和透光襯底之間，鍵合地填充有透鏡層。基于加工襯底加工制得Mini LED芯片初胚，將Mini LED芯片初胚與加工襯底分離后，提供透光襯底，于Mini LED芯片初胚和透光襯底之間填充透鏡層；通過透鏡層來過渡連接Mini LED芯片初胚和透光襯底，Mini LED芯片初胚發(fā)出的光線自其本身依次穿過透鏡層和透光襯底，透鏡層形成增透鏡的作用，增加光線的穿透率，減少光線的反射損失，增強出光效率。

技術領域

本發(fā)明涉及LED技術，尤其涉及一種顯示模塊、Mini LED芯片及其制備方法。

背景技術

現(xiàn)有圖形化襯底主要基于正裝芯片設計，一方面提升外延層的晶體質量，使得LED的內量子效率更高，另一方面，反射向后出射的光并使其從正面出射，提升光出射效率，同時，在襯底背面制作反射層(通常為分布式布拉格反射層，DBR)，加強光的反射效率，進一步增強光自LED正面的出射效率。

但是，在倒裝芯片中，襯底背面為出光面，圖形化襯底的強反射會降低出光效率。雖然DBR會再次反射光，但反射的光大部分被有源層吸收，數(shù)次反射后光的能量被轉換成熱量，導致襯底的出光面出光效率低。

鑒于此，需要對現(xiàn)有技術中的Mini LED加以改進，以解決芯片發(fā)出的光線被襯底吸收，出光效率低的技術問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種顯示模塊、Mini LED芯片及其制備方法，來解決以上的技術問題。

為達此目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

一種Mini LED芯片的制備方法，包括：

提供加工襯底，基于加工襯底制備Mini LED芯片初胚；

剝離加工襯底；

提供透光襯底，并層疊于Mini LED芯片初胚的發(fā)光面上，于Mini LED芯片初胚和透光襯底之間，鍵合地填充有透鏡層；以制得Mini LED芯片。

可選的，透鏡層的折射率介于透光襯底的折射率和Mini LED芯片初胚的折射率之間。

可選的，提供加工襯底，基于加工襯底制備Mini LED芯片初胚，具體包括：

提供加工襯底，于加工襯底的加工表面外延生長形成外延結構；

基于外延結構加工成型芯片層，制備Mini LED芯片初胚。

可選的，剝離加工襯底；具體包括：

提供一基板，將Mini LED芯片初胚遠離加工襯底的一表面鍵合于基板；

沿Mini LED芯片初胚和加工襯底的連接面，使用激光剝離加工襯底。

可選的，基板包括載板，以及層疊于載板上的連接層，連接層用于連接Mini LED芯片初胚。

可選的，提供透光襯底，并層疊于Mini LED芯片初胚上，于Mini LED芯片初胚和透光襯底之間，鍵合形成透鏡層，之后還包括：

去掉Mini LED芯片初胚上的基板，對Mini LED芯片進行切割處理，以形成若干個單體的Mini LED芯片。

可選的，加工襯底的加工表面設有陣列排布的凹槽或凹坑，凹槽或凹坑的截面呈凹透鏡狀；

Mini LED芯片初胚靠近加工襯底的一表面形成有與凹槽或凹坑相匹配的陣列排布的凸起。