[發(fā)明專利]太陽能電池及其生產(chǎn)方法、生產(chǎn)系統(tǒng)，光伏組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210448598.5
• 申請(qǐng)日: 2022-04-26
• 公開（公告）號(hào): CN114937705A
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊苗;曲銘浩;徐希翔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/06;H01L31/18
• 代理公司: 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 趙娟

本發(fā)明提供了一種太陽能電池及其生產(chǎn)方法、生產(chǎn)系統(tǒng)，光伏組件，涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域。太陽能電池包括：硅基底；在硅基底的向光面的局部區(qū)域有至少一個(gè)第一摻雜區(qū)域；各個(gè)第一摻雜區(qū)域的摻雜類型和硅基底的摻雜類型均相同，且各個(gè)第一摻雜區(qū)域的摻雜濃度均大于硅基底的摻雜濃度；依次層疊分布在硅基底、以及第一摻雜區(qū)域的向光側(cè)上的化學(xué)鈍化膜、場(chǎng)鈍化減反射膜；位于硅基底的向光側(cè)的至少一個(gè)正面柵線電極；至少一個(gè)正面柵線電極和至少一個(gè)第一摻雜區(qū)域相互接觸。本發(fā)明的太陽能電池中，俄歇復(fù)合較少，工藝匹配性能好，具有良好的光電轉(zhuǎn)換效率，且可以降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種太陽能電池及其生產(chǎn)方法、生產(chǎn)系統(tǒng)，光伏組件。

背景技術(shù)

由于具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率潛力，太陽能電池具有廣闊的應(yīng)用前景。

然而，現(xiàn)有的太陽能電池在光電轉(zhuǎn)換效率的提升中，依然存在一些困難。目前，主要通過改變部分結(jié)構(gòu)能夠適當(dāng)解決部分問題。但是，現(xiàn)有的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的還有較大的提升空間。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種太陽能電池及其生產(chǎn)方法、生產(chǎn)系統(tǒng)，光伏組件，旨在解決現(xiàn)有的太陽能電池工藝匹配性較差，導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效率較低的問題。

本發(fā)明的第一方面，提供一種太陽能電池，包括：

硅基底；

在所述硅基底的向光面的局部區(qū)域有至少一個(gè)第一摻雜區(qū)域；各個(gè)所述第一摻雜區(qū)域的摻雜類型和所述硅基底的摻雜類型均相同，且各個(gè)所述第一摻雜區(qū)域的摻雜濃度均大于所述硅基底的摻雜濃度；

依次層疊分布在所述硅基底、以及所述第一摻雜區(qū)域的向光側(cè)上的化學(xué)鈍化膜、場(chǎng)鈍化減反射膜；

位于所述硅基底的向光側(cè)的至少一個(gè)正面柵線電極；至少一個(gè)所述正面柵線電極和至少一個(gè)所述第一摻雜區(qū)域相互接觸。

本發(fā)明中，向光側(cè)包括的化學(xué)鈍化膜可以起到良好的化學(xué)鈍化的作用，場(chǎng)鈍化減反射膜可以起到良好的場(chǎng)鈍化以及減反射的作用，基本能夠達(dá)到非晶硅的表面鈍化能力。且上述化學(xué)鈍化膜、場(chǎng)鈍化減反射膜均對(duì)入射光的短波和可見光的吸收較弱或基本無吸收，可以減少太陽能電池的短路電流的損失。同時(shí)，第一摻雜區(qū)域只是分布在硅基底的向光面局部區(qū)域上，沒有第一摻雜區(qū)域的位置基本不會(huì)存在俄歇復(fù)合，因此，第一摻雜區(qū)域帶來的俄歇復(fù)合相對(duì)較少，工藝匹配性較好，可以減少由于俄歇復(fù)合引起的短路電流和開路電壓的損失。同時(shí)，本發(fā)明中，硅基底的向光側(cè)的第一摻雜區(qū)域、化學(xué)鈍化膜、場(chǎng)鈍化減反射膜無需使用非晶硅鍍膜設(shè)備、透明導(dǎo)電氧化物鍍膜設(shè)備，可以大幅度減少生產(chǎn)設(shè)備的成本以及生產(chǎn)設(shè)備所占用的空間，如，大體降低一半的生產(chǎn)設(shè)備的成本以及一半的生產(chǎn)設(shè)備所占用的空間。另外硅基底的向光面無需設(shè)置透明導(dǎo)電氧化物薄膜也可以降低生產(chǎn)成本。

可選的，每個(gè)所述第一摻雜區(qū)域的最高摻雜濃度為：2×10¹⁹/cm³-5×10²⁰/cm³。

可選的，每個(gè)所述第一摻雜區(qū)域的深度為0.1-0.5um；所述第一摻雜區(qū)域的深度所在的方向，與所述化學(xué)鈍化膜和所述場(chǎng)鈍化減反射膜的層疊方向平行。

可選的，所述化學(xué)鈍化膜包括：氧化硅膜或氧化鋁膜；和/或，所述場(chǎng)鈍化減反射膜包括氮化硅薄膜。

可選的，所述場(chǎng)鈍化減反射膜的折射率為1.9-2.2。

可選的，所述太陽能電池還包括：位于所述場(chǎng)鈍化減反射膜向光側(cè)的減反射膜。

可選的，所述減反射膜的材料選自氮氧化硅。

可選的，所述太陽能電池還包括：依次層疊分布在所述硅基底的背光側(cè)的本征非晶硅膜、與所述硅基底摻雜類型不同的摻雜非晶硅膜、透明導(dǎo)電氧化物薄膜、以及背面電極；