[發明專利]太陽能電池及其生產方法、生產系統,光伏組件在審
| 申請號: | 202210448598.5 | 申請日: | 2022-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN114937705A | 公開(公告)日: | 2022-08-23 |
| 發明(設計)人: | 楊苗;曲銘浩;徐希翔 | 申請(專利權)人: | 西安隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 趙娟 |
| 地址: | 710000 陜西省西安市國家民用*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 生產 方法 系統 組件 | ||
1.一種太陽能電池,其特征在于,包括:
硅基底;
所述硅基底的向光面的局部區域有至少一個第一摻雜區域;各個所述第一摻雜區域的摻雜類型和所述硅基底的摻雜類型均相同,且各個所述第一摻雜區域的摻雜濃度均大于所述硅基底的摻雜濃度;
依次層疊分布在所述硅基底、以及所述第一摻雜區域的向光側上的化學鈍化膜、場鈍化減反射膜;
位于所述硅基底的向光側的至少一個正面柵線電極;至少一個所述正面柵線電極和至少一個所述第一摻雜區域相互接觸。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,每個所述第一摻雜區域的深度為0.1-0.5um;所述第一摻雜區域的深度所在的方向,與所述化學鈍化膜和所述場鈍化減反射膜的層疊方向平行。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述化學鈍化膜包括:氧化硅膜或氧化鋁膜;和/或,所述場鈍化減反射膜包括氮化硅薄膜。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池還包括:位于所述場鈍化減反射膜向光側的減反射膜。
5.根據權利要求1-4中任一所述的太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池還包括:依次層疊分布在所述硅基底的背光側的本征非晶硅膜、與所述硅基底摻雜類型不同的摻雜非晶硅膜、透明導電氧化物薄膜、以及背面電極;
所述背面電極為覆蓋在所述透明導電氧化物薄膜上的整面電極層,所述透明導電氧化物薄膜的厚度為5-80nm;所述透明導電氧化物薄膜的厚度所在的方向,與所述化學鈍化膜和所述場鈍化減反射膜的層疊方向平行。
6.根據權利要求5所述的太陽能電池,其特征在于,所述整面電極層的厚度為1-10um。
7.根據權利要求1-4中任一所述的太陽能電池,其特征在于,所述正面柵線電極為鎳銅銀疊層柵線電極。
8.根據權利要求7所述的太陽能電池,其特征在于,所述鎳銅銀疊層柵線電極中:鎳元素、銅元素、銀元素三者的質量比例為:(0.5-2.5):(5-9):(0.5-2.5)。
9.根據權利要求1-4中任一所述的太陽能電池,其特征在于,
每個所述正面柵線電極和每個所述第一摻雜區域位置一一對應,且相互接觸。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池,其特征在于,每個所述正面柵線電極在位置對應的所述第一摻雜區域上的投影,在第一方向上的尺寸,等于位置對應的所述第一摻雜區域在所述第一方向上的尺寸,每個所述正面柵線電極在位置對應的所述第一摻雜區域上的投影,在第二方向上的尺寸,比位置對應的所述第一摻雜區域在所述第二方向上的尺寸小15-50um;所述第一方向和所述第二方向均與所述硅基底的向光面平行,且所述第一方向和所述第二方向垂直;
和/或,每個所述正面柵線電極的高度為5-20um;所述高度所在的方向,與所述化學鈍化膜和所述場鈍化減反射膜的層疊方向平行;
和/或,每個所述正面柵線電極在所述第二方向上的尺寸為15-50um。
11.根據權利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,在所述化學鈍化膜為氧化硅膜的情況下,所述化學鈍化膜的厚度為0.5-5nm;
在所述化學鈍化膜為氧化鋁膜的情況下,所述化學鈍化膜的厚度為2-10nm;所述厚度所在的方向,與所述化學鈍化膜和所述場鈍化減反射膜的層疊方向平行。
12.一種光伏組件,其特征在于,包括:包括若干個如權利要求1-11中任一所述的太陽能電池。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





