[發明專利]一種改善基板變形的支撐件在審
| 申請號: | 202210446631.0 | 申請日: | 2022-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN114975217A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 智慧星空(上海)工程技術有限公司;深圳智達星空科技(集團)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京清大紫荊知識產權代理有限公司 11718 | 代理人: | 鄭純;秦亞群 |
| 地址: | 201316 上海市浦東新區中國(上海)自*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 變形 支撐 | ||
本發明屬于精密制造設備技術領域,具體涉及一種改善基板變形的支撐件,用于在精密刻蝕工藝時支撐所述基板,所述支撐件為環形支撐件,用于自所述基板的外圍邊緣部分支撐所述基板,與所述基板的接觸部分設置有吸附部;所述吸附部用于消除所述基板放置在所述支撐件后產生的邊緣翹曲。本發明對薄基板在重力作用造成的變形進行改善,通過在基板邊緣施加吸附力或者壓力來補償基板有效區域由于重力造成的影響,防止在基板的邊緣區域產生變形,保證其結構分辨率和均勻性,提高其加工效率。
技術領域
本發明屬于精密制造設備技術領域,具體涉及一種改善基板變形的支撐件。
背景技術
在精密刻蝕過程中,晶圓或基板通常放在平坦的支撐臺,且通過真空吸附將基板均勻的吸附在支撐臺上。若基板的有源區域已設置有傳感結構或還未經處理,則在真空吸附過程中,基板可能會被有源區域中的雜質顆粒損傷或污染。
為了克服上述問題并避免基板的有源區域受到損傷或污染,當前已經提出盡在基板的無源區域(外圍邊緣)對其進行支撐。在這種情況下,由于基板僅在邊緣較窄的區域有支撐,其有源區域此時都處于懸空狀態,基板可能會在重力作用下根據其厚度、大小和剛度的不同向下彎曲不同的程度。在刻蝕時,基板的變形會使光掩模與基板之前在不同區域的距離不同,可能會導致過低的結構分辨性和非均勻性,導致良率降低。
現有基板支撐方法多采用邊緣區域支撐的方法,可避免基板在真空吸附時的損傷和污染,但是邊緣支撐的方法會使基板中心在重力作用下變形,使光掩模與基板之間的距離變化,導致過低的結構分辨率和非均勻性,影響良率和效率。特別是對更薄的基板來說,這種變形更大。
發明內容
有鑒于此,本發明提出一種改善基板變形的支撐件,對薄基板在重力作用造成的變形進行改善,通過在基板邊緣施加吸附力或者壓力來補償基板有效區域由于重力造成的影響,防止在基板的邊緣區域產生變形,保證其結構分辨率和均勻性,提高加工效率。
為了達到上述技術目的,本發明所采用的具體技術方案為:
一種改善基板變形的支撐件,用于在精密刻蝕工藝時支撐所述基板,所述支撐件為環形支撐件,用于自所述基板的外圍邊緣部分支撐所述基板,與所述基板的接觸部分設置有吸附部;所述吸附部用于消除所述基板放置在所述支撐件后產生的邊緣翹曲。
進一步的,所述吸附部為負壓吸附槽。
進一步的,自所述基板的重心點的擴散方向,所述負壓吸附槽對所述基板的吸附力規律增加。
進一步的,所述負壓吸附槽為多組;所述吸附部基于負壓裝置和導氣管在所述負壓吸附槽處產生負壓;所述負壓裝置用于產生氣體負壓,基于各所述導氣管連接各所述負壓吸附槽。
進一步的,自所述基板的重心點的擴散方向,所述負壓吸附槽對所述基板的吸附力遞增。
進一步的,所述負壓裝置基于多個所述導氣管分別連接各所述負壓吸附槽。
進一步的,各所述負壓吸附槽呈環形分布在所述支撐件上。
進一步的,所述負壓吸附槽的寬度為0.5-1.5mm。
進一步的,各所述負壓吸附槽的吸附力依據所述基板的面型可調設置。
進一步的,所述支撐件還包括多個緊固螺孔,各所述緊固螺孔用于將所述支撐件固定至光刻設備中。
采用上述技術方案,本發明能夠帶來以下有益效果:
1)本發明不引入額外的支撐,可避免基板不必要的損傷和污染;
2)本發明工藝調整過程比較簡單,可有效提高加工效率;
3)本發明能夠通過改變吸附的壓強來補償基板有效區域的變形,可有效提高加工良率。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





