[發明專利]一種改善基板變形的支撐件在審
| 申請號： | 202210446631.0 | 申請日： | 2022-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN114975217A | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 智慧星空（上海）工程技術有限公司;深圳智達星空科技（集團）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京清大紫荊知識產權代理有限公司 11718 | 代理人： | 鄭純;秦亞群 |
| 地址： | 201316 上海市浦東新區中國（上海）自*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 變形 支撐 | ||
1.一種改善基板變形的支撐件，用于在精密刻蝕工藝時支撐所述基板，其特征在于，所述支撐件為環形支撐件，用于自所述基板的外圍邊緣部分支撐所述基板，與所述基板的接觸部分設置有吸附部；所述吸附部用于消除所述基板放置在所述支撐件后產生的邊緣翹曲。
2.根據權利要求1所述的改善基板變形的支撐件，其特征在于：所述吸附部為負壓吸附槽。
3.根據權利要求2所述的改善基板變形的支撐件，其特征在于：自所述基板的重心點的擴散方向，所述負壓吸附槽對所述基板的吸附力規律增加。
4.根據權利要求3所述的改善基板變形的支撐件，其特征在于：所述負壓吸附槽為多組；所述吸附部基于負壓裝置和導氣管在所述負壓吸附槽處產生負壓；所述負壓裝置用于產生氣體負壓，基于各所述導氣管連接各所述負壓吸附槽。
5.根據權利要求4所述的改善基板變形的支撐件，其特征在于：自所述基板的重心點的擴散方向，所述負壓吸附槽對所述基板的吸附力遞增。
6.根據權利要求5所述的改善基板變形的支撐件，其特征在于：所述負壓裝置基于多個所述導氣管分別連接各所述負壓吸附槽。
7.根據權利要求6所述的改善基板變形的支撐件，其特征在于：各所述負壓吸附槽呈環形分布在所述支撐件上。
8.根據權利要求7所述的改善基板變形的支撐件，其特征在于：所述負壓吸附槽的寬度為0.5-1.5mm。
9.根據權利要求8所述的改善基板變形的支撐件，其特征在于：各所述負壓吸附槽的吸附力依據所述基板的面型可調設置。
10.根據權利要求1-9之任一項所述的改善基板變形的支撐件，其特征在于：所述支撐件還包括多個緊固螺孔，各所述緊固螺孔用于將所述支撐件固定至精密制造設備中。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
