[發明專利]一種立式晶體生長爐下爐蓋鎖緊機構

在審

• 申請號: 202210434525.0
• 申請日: 2022-04-24
• 公開（公告）號: CN114672875A
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 劉鵬;徐文立;胡建宇;施佳偉
• 申請（專利權）人: 寧波恒普真空科技股份有限公司
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 孫玲

本發明公開一種立式晶體生長爐下爐蓋鎖緊機構，涉及鎖緊機構技術領域，包括設置于框架上的鎖緊組件和驅動系統，所述鎖緊組件包括聯動塊、安裝座、連桿座和驅動結構；所述安裝座用于與所述框架或爐體相連接，所述驅動結構設置于所述安裝座一端，所述連桿座設置于所述安裝座另一端，所述聯動塊與所述連桿座活動連接，所述驅動結構與所述聯動塊傳動連接，所述驅動系統與所述驅動結構動力連接。1.通過簡單的機構實現了下爐蓋的自動鎖緊，避免了人工操作的繁瑣費時及可能造成的風險。2.通過在驅動系統中設計增加冗余保護系統，實現了在驅動力缺失、斷電、管路破損、驅動換向閥損壞的情況下對爐蓋的自鎖功能。

技術領域

本發明涉及鎖緊機構技術領域，特別是涉及一種立式晶體生長爐下爐蓋鎖緊機構。

背景技術

碳化硅(SiC)作為重要的第三代半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓以及抗輻射電子器件的理想材料，在軍工、航天、固態照明和電力電子等領域具有重要的應用價值，因此成為當前全球半導體材料產業的前沿和制高點之一。

物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport-PVT)是用于生長碳化硅晶體的常用方法，該方法將碳化硅籽晶設置在石墨坩堝蓋上或是頂端，石墨坩堝內裝有作為生長原料的碳化硅粉末，控制生長溫度使得生長原料分解成氣相組分后在石墨坩堝內部軸向溫度梯度的驅動下，輸運到籽晶處生長碳化硅晶體。

在碳化硅爐長晶結束后需要更換添加新的原料用于繼續長晶，每次裝料都需要打開下爐蓋，為了使爐蓋與爐膛密封，采用螺紋螺栓連接方式每次都需要人工拆卸螺絲，這樣既費時費力降低效率，又可能發生意外造成傷害。通過轉環的形式來鎖緊爐蓋，設計復雜且成本較高。故如何快速方便的實現爐蓋的打開與鎖緊以提高生產效率，成為需要解決的問題。

發明內容

為解決以上技術問題，本發明提供一種立式晶體生長爐下爐蓋鎖緊機構，通過此機構可快速方便的實現爐蓋的打開與鎖緊以提高生產效率。

為實現上述目的，本發明提供了如下方案：

本發明提供一種立式晶體生長爐下爐蓋鎖緊機構，包括設置于框架或爐體上的鎖緊組件和驅動系統，所述鎖緊組件包括聯動塊、安裝座、連桿座和驅動結構；所述安裝座用于與所述框架或爐體相連接，所述驅動結構設置于所述安裝座一端，所述連桿座設置于所述安裝座另一端，所述聯動塊與所述連桿座活動連接，所述驅動結構與所述聯動塊傳動連接，所述驅動系統與所述驅動結構動力連接。

可選的，所述驅動結構包括氣缸或液壓缸，所述氣缸或液壓缸設置于所述安裝座一端。

可選的，所述驅動結構還包括缸桿接頭，所述缸桿接頭一端與所述氣缸的缸桿連接，所述缸桿接頭另一端與所述聯動塊的一端可轉動連接。

可選的，所述驅動系統可為驅動管路系統，包括主驅動管路和冗余保護管路，所述主驅動管路分別為缸體有桿腔和無桿腔提供驅動力，所述冗余保護管路為缸體無桿腔提供驅動力。

可選的，所述冗余保護管路包括先導式單向閥，所述先導式單向閥的先導口與所述缸體的有桿腔相連通，所述先導式單向閥與所述缸體的無桿腔相連通。

可選的，所述主驅動管路包括驅動換向閥和連接管路；所述冗余保護管路還包括兩位三通常開換向閥，梭閥及連接管路；所述驅動換向閥為兩位五通換向閥，在爐門鎖緊的狀態下，所述兩位三通常開換向閥的供壓口與所述梭閥的第一進口相連通，所述兩位五通換向閥的供壓口與所述梭閥的第二進口相連通，所述梭閥的出口與所述先導式單向閥相連通，所述缸體的有桿腔與所述兩位五通換向閥的排壓口相連通。

可選的，所述驅動結構為電推桿。

可選的，所述聯動塊側面貫通的設置有長圓孔，所述長圓孔內設置有第二轉軸，所述第二轉軸兩端與所述連桿座相連接。

可選的，所述聯動塊朝向下爐蓋的一側設置有減震壓塊。