[發(fā)明專(zhuān)利]一種用于高性能電源管理的COT恒定導(dǎo)通時(shí)間電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210434364.5
• 申請(qǐng)日: 2022-04-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114696577A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王婉;孫權(quán);夏雪;袁婷;董磊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安航天民芯科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M1/08
• 分類(lèi)號(hào): H02M1/08
• 代理公司: 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 房鑫

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于高性能電源管理的COT恒定導(dǎo)通時(shí)間電路，屬于開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域，R_ON與地連接，通過(guò)內(nèi)部電路設(shè)置設(shè)置V_IN及R_ON相關(guān)的電流信號(hào)，并通過(guò)電流信號(hào)的鏡像信號(hào)對(duì)電容充電技術(shù)，同時(shí)通過(guò)單次觸發(fā)定時(shí)器及比較器將電容信號(hào)及固定電壓進(jìn)行比較，產(chǎn)生了與V_IN相關(guān)的恒定導(dǎo)通時(shí)間及與V_OUT相關(guān)的開(kāi)關(guān)頻率的技術(shù)，解決了不需要使用內(nèi)部振蕩器，實(shí)現(xiàn)頻率恒定的問(wèn)題，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)頻率的自控制。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域，具體涉及一種用于高性能電源管理的COT恒定導(dǎo)通時(shí)間電路。

背景技術(shù)

在消費(fèi)電子領(lǐng)域，各種電子設(shè)備都需要電源來(lái)維持，開(kāi)關(guān)電源管理芯片是電子系統(tǒng)不可缺少的一部分，其中COT控制模式的開(kāi)關(guān)電源由于在環(huán)路中只有比較器，因此環(huán)路響應(yīng)快，其優(yōu)越的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)及平滑的工作模式切換，在電源領(lǐng)域得到了很好的應(yīng)用。

COT控制模式架構(gòu)的DC/DC轉(zhuǎn)換器的架構(gòu)，可以用一個(gè)單次觸發(fā)定時(shí)器，產(chǎn)生恒定導(dǎo)通時(shí)間T_on，在該時(shí)間內(nèi)，內(nèi)部主開(kāi)關(guān)打開(kāi)，打開(kāi)時(shí)間由T_on決定。在導(dǎo)通時(shí)間之后，主開(kāi)關(guān)必須保持?jǐn)嚅_(kāi)狀態(tài)，直到輸出電壓的分壓反饋電壓再次低于固定基準(zhǔn)的設(shè)定值，單次觸發(fā)定時(shí)器電路繼續(xù)工作。該單次觸發(fā)定時(shí)器，產(chǎn)生與電源電壓V_IN相關(guān)的恒定導(dǎo)通時(shí)間T_on，與輸入電壓成反比，由于占空比D為V_OUT/V_IN，T_on為占空比D除以開(kāi)關(guān)頻率，所以此特性表現(xiàn)為，當(dāng)V_OUT固定時(shí)，工作頻率固定，與負(fù)載無(wú)關(guān)。

因此需要一種用于恒定導(dǎo)通時(shí)間控制模式開(kāi)關(guān)電源的產(chǎn)生恒定導(dǎo)通時(shí)間電路，可以在COT控制模式架構(gòu)的DC/DC轉(zhuǎn)換器中，與恒定導(dǎo)通時(shí)間與V_IN相關(guān)，開(kāi)關(guān)頻率與V_OUT相關(guān)。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種用于高性能電源管理的COT恒定導(dǎo)通時(shí)間電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中單次觸發(fā)定時(shí)器當(dāng)V_OUT固定時(shí)，工作頻率固定，與負(fù)載無(wú)關(guān)的問(wèn)題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于高性能電源管理的COT恒定導(dǎo)通時(shí)間電路，包括：外部電阻R_ON、第一電阻R1、第二電阻R2、第一N型MOS管NM1、第二N型MOS管NM2、第三N型MOS管NM3、第四N型MOS管NM4、第一P型MOS管PM1、第二P型MOS管PM2、第三P型MOS管PM3、第四P型MOS管PM4、第五P型MOS管PM5、第一P型三極管PNP1、第二P型三極管PNP2、第三P型三極管PNP3、第四P型三極管PNP4、電容C1和比較器；