[發(fā)明專利]一種用于高性能電源管理的COT恒定導(dǎo)通時(shí)間電路

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202210434364.5
• 申請日: 2022-04-24
• 公開（公告）號: CN114696577A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王婉;孫權(quán);夏雪;袁婷;董磊
• 申請（專利權(quán)）人: 西安航天民芯科技有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 房鑫

1.一種用于高性能電源管理的COT恒定導(dǎo)通時(shí)間電路，其特征在于，包括：外部電阻R_ON、第一電阻R1、第二電阻R2、第一N型MOS管NM1、第二N型MOS管NM2、第三N型MOS管NM3、第四N型MOS管NM4、第一P型MOS管PM1、第二P型MOS管PM2、第三P型MOS管PM3、第四P型MOS管PM4、第五P型MOS管PM5、第一P型三極管PNP1、第二P型三極管PNP2、第三P型三極管PNP3、第四P型三極管PNP4、電容C1和比較器；

第一N型MOS管NM1的柵極與第一N型MOS管NM1的漏極、第二N型MOS管NM2的柵極、第三N型MOS管NM3的柵極、第四N型MOS管NM4的柵極，并與外部的偏置電流IBIAS1連接，第二N型MOS管NM2的漏極與第一P型MOS管PM1的柵極、第一P型MOS管PM1的漏極、第二P型MOS管PM2的柵極、第三P型MOS管PM3的柵極連接，第三N型MOS管NM3的漏極與第一P型三極管PNP1的集電極、第五P型MOS管PM5的柵極連接，第四N型MOS管NM4的漏極與第二P型三極管PNP2的集電極、第四P型MOS管PM4的柵極連接，第二P型MOS管PM2的漏極與第四P型MOS管PM4的源極、第一P型三極管PNP1的基極、第二P型三極管PNP2的基極連接，第三P型MOS管PM3的漏極與第五P型MOS管PM5的源極、第三P型三極管PNP3的基極、第四P型三極管PNP4的基極連接，第四P型MOS管PM4和第五P型MOS管PM5的漏極均接地，第一P型三極管PNP1的發(fā)射級與外部電阻R_ON的一端、第一電阻R1的一端連接，第二P型三極管PNP2的發(fā)射級與電阻R2的一端、第三P型三極管PNP3的發(fā)射極、第四N型三極管PNP4的發(fā)射極連接，第三P型三極管PNP3的集電極接地，第四P型三極管PNP4的集電極與電容C1的正端、比較器的輸入負(fù)端連接，發(fā)射級與第二電阻R2的一端、第二P型三極管PNP2的發(fā)射極、第三P型三極管PNP3的發(fā)射極連接，第二電阻R2的另一端與電源VIN連接，外部電阻R_ON的一端與地GND連接，另一端與第一P型三極管PNP1的發(fā)射級、第一電阻R1的一端連接，第一電阻R1的另一端與電源VIN連接；第一N型MOS管NM1、第二N型MOS管NM2、第三N型MOS管NM3和第四N型MOS管NM4的源極均接地；第一P型MOS管PM1、第二P型MOS管PM2和第三P型MOS管PM3的源極均與內(nèi)部電源VCC連接，電容C1的正端與第四P型三極管PNP4的集電極、比較器的輸入負(fù)極連接，電容的負(fù)端與地GND連接，比較器的輸入正端與固定電壓基準(zhǔn)VREF連接，比較器的輸入負(fù)端與電容C1的正端、第六P型MOS管PM6的漏極連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于高性能電源管理的COT恒定導(dǎo)通時(shí)間電路，其特征在于，流過外部電阻R_ON的電流遠(yuǎn)大于流過第三N型MOS管NM3的電流，使得流過外部電阻R_ON的電流為V_IN/R_ON。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于高性能電源管理的COT恒定導(dǎo)通時(shí)間電路，其特征在于，第一P型三極管PNP1的數(shù)量為第二P型三極管PNP2的m倍，第二電阻R2的阻值為第一電阻R1的m倍，I_PNP1為m倍的I_PNP2，由電路得，

I_PNP1＝m×I_PNP2 (公式6)

V_IN/R_ON＝m×(I_PNP3+I_PNP4) (公式7)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于高性能電源管理的COT恒定導(dǎo)通時(shí)間電路，其特征在于，第四P型三極管PNP4的個(gè)數(shù)為第三P型三極管PNP3、第四P型三極管PNP4個(gè)數(shù)總和的n分之一，使得

I_PNP4＝(I_PNP3+I_PNP4)/n (公式8)