[發明專利]一種存儲器及其編程方法、存儲器系統

在審

• 申請號: 202210426359.X
• 申請日: 2022-04-21
• 公開（公告）號: CN114822645A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 董志鵬
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/06;G11C16/08;G11C16/34
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

1.一種存儲器的編程方法，其特征在于，所述存儲器包括：多個存儲單元串；每一個存儲單元串一端與位線連接，另一端與源極線連接；每一存儲單元串包含串聯的多個存儲單元；其中，所述多個存儲單元分別與多個字線耦接；所述編程方法包括：

根據編程順序對選定存儲單元串進行編程；

在對所述選定存儲單元串中與所述多個字線中選定的非邊緣字線耦接的存儲單元進行編程時，對所述多個字線中的邊緣字線施加第一通過電壓；對與所述邊緣字線相鄰的非邊緣字線施加第二通過電壓；其中，所述邊緣字線為所述多個字線中與所述源極線相鄰的至少一個字線，或者所述多個字線中與所述位線相鄰的至少一個字線；所述非邊緣字線為所述多個字線中除所述邊緣字線之外的字線；所述選定的非邊緣字線與所述邊緣字線不相鄰；所述第一通過電壓小于所述第二通過電壓。

2.根據權利要求1所述的編程方法，其特征在于，所述編程方法還包括：

對其余非邊緣字線施加第三通過電壓；所述第三通過電壓包含一組大于所述第一通過電壓的電壓。

3.根據權利要求2所述的編程方法，其特征在于，在所述多個字線從所述源極線或所述位線開始編號依次為字線WL0、字線WL1、……、WLm、……、WLn、……時，所述編程方法還包括：在所述邊緣字線包含字線WL0和字線WL1且所述選定的非邊緣字線為字線WLn時，對未選定的非邊緣字線WL2至字線WLm施加的所述第三通過電壓等于所述第二通過電壓；對未選定的非邊緣字線WLn-4到字線WLm施加的所述第三通過電壓大于所述第二通過電壓；其中，n不小于17；m不大于15。

4.根據權利要求3所述的編程方法，其特征在于，所述編程順序包括正序編程和逆序編程，其中；

所述正序編程為對所述選定的存儲單元串中的存儲單元從鄰近源極線的存儲單元開始向鄰近位線的存儲單元的順序依次進行編程；

所述逆序編程為對所述選定的存儲單元串中的存儲單元從鄰近所述位線的存儲單元開始向鄰近所述源極線的存儲單元的順序依次進行編程。

5.一種存儲器，其特征在于，包括存儲器陣列，所述存儲器陣列包括多個存儲單元串；每一個存儲單元串一端與位線連接，另一端與源極線連接；每一個存儲單元串包含串聯的多個存儲單元；其中，所述多個存儲單元分別與多個字線耦接；

以及耦接在所述存儲器陣列且用于控制所述存儲器陣列的控制電路；

其中，所述控制電路被配置為：

根據編程順序對選定存儲單元串進行編程；

在對所述選定存儲單元串中與所述多個字線中選定的非邊緣字線耦接的存儲單元進行編程時，對所述多個字線中的邊緣字線施加第一通過電壓；對與所述邊緣字線相鄰的非邊緣字線施加第二通過電壓；其中，所述邊緣字線為所述多個字線中與所述源極線相鄰的至少一個字線，或者所述多個字線中與所述位線相鄰的至少一個字線；所述非邊緣字線為所述多個字線中除所述邊緣字線之外的字線；所述選定的非邊緣字線與所述邊緣字線不相鄰；所述第一通過電壓小于所述第二通過電壓。

6.根據權利要求5所述的存儲器，其特征在于，所述控制電路還被配置為：對其余非邊緣字線施加第三通過電壓；所述第三通過電壓包含一組大于所述第一通過電壓的電壓。

7.根據權利要求6所述的存儲器，其特征在于，在所述多個字線從所述源極線或所述位線開始編號依次為字線WL0、字線WL1、……、WLm、……、WLn、……時，所述控制電路還被配置為：在所述邊緣字線包含字線WL0和字線WL1且所述選定的非邊緣字線為字線WLn時，對未選定的非邊緣字線WL2至字線WLm施加的所述第三通過電壓等于所述第二通過電壓；對未選定的非邊緣字線WLn-4到字線WLm施加的所述第三通過電壓大于所述第二通過電壓；其中，n不小于17；m不大于15。

8.根據權利要求7所述的存儲器，其特征在于，耦接到所述字線WL0的存儲單元為單級單元SLC、多級單元MLC及三級單元TLC存儲單元之一；耦接到其余字線的存儲單元為四級單元QLC存儲單元。