[發明專利]微型發光二極管芯片的轉移方法

在審

• 申請號: 202210424167.5
• 申請日: 2022-04-21
• 公開（公告）號: CN114927456A
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 李文濤
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01L25/075
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張惠

本申請公開一種微型發光二極管芯片的轉移方法，包括：采用感光膠層將微型發光二極管芯片粘接于透光的過渡基板上，微型發光二極管芯片包括第一連接電極，微型發光二極管芯片的第一連接電極位于微型發光二極管芯片遠離感光膠層的一側，感光膠層包括助焊劑；提供一驅動基板，包括多個第二連接電極；將過渡基板移動至驅動基板的上方，將微型發光二極管芯片的第一連接電極與第二連接電極對位，第一連接電極或/和第二連接電極上形成有焊接材料；采用第一激光照射感光膠層，以使微型發光二極管芯片從感光膠層上脫落，且使助焊劑揮發；采用第二激光照射，以使焊接材料熔融，熔融的焊接材料在揮發的助焊劑的作用下，連接第一連接電極和第二連接電極。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種微型發光二極管芯片的轉移方法。

背景技術

微型發光二極管(Micro LED)具有亮度高、發光效率高以及低功耗的優點，因而成為目前顯示技術領域的研究熱點。

然而，微型發光二極管發光基板在制造過程中存在轉移良率低的問題，如何提高微型發光二極管的轉移良率是需要解決的技術問題。

發明內容

本申請的目的在于提供一種微型發光二極管芯片的轉移方法，以提高微型發光二極管芯片的轉移良率。

為實現上述目的，技術方案如下：

一種微型發光二極管芯片的轉移方法，所述方法包括：

采用感光膠層將微型發光二極管芯片粘接于透光的過渡基板上，所述微型發光二極管芯片包括第一連接電極，所述微型發光二極管芯片的所述第一連接電極位于所述微型發光二極管芯片遠離所述感光膠層的一側，所述感光膠層包括助焊劑；

提供一驅動基板，所述驅動基板包括多個第二連接電極；

將所述過渡基板移動至所述驅動基板的上方，且將所述微型發光二極管芯片的所述第一連接電極與所述第二連接電極對位，所述第一連接電極或/和所述第二連接電極上形成有焊接材料；

采用第一激光照射所述過渡基板上的所述感光膠層，以使所述微型發光二極管芯片從所述感光膠層上脫落，且使所述助焊劑揮發；

采用第二激光照射，以使所述焊接材料熔融，熔融的所述焊接材料在揮發的所述助焊劑的作用下，連接所述第一連接電極和所述第二連接電極。

在上述微型發光二極管芯片的轉移方法中，所述第一激光的波長與所述第二激光的波長相同。

在上述微型發光二極管芯片的轉移方法中，所述第一激光的波長大于或等于340納米且小于或等于360納米。

在上述微型發光二極管芯片的轉移方法中，所述第一激光的波長與所述第二激光的波長不同。

在上述微型發光二極管芯片的轉移方法中，所述第一連接電極上形成有焊接材料。

在上述微型發光二極管芯片的轉移方法中，所述焊接材料選自Au、Al、Cu、Sn、In以及Ti中的至少一種。

在上述微型發光二極管芯片的轉移方法中，所述焊接材料為In或In合金。

在上述微型發光二極管芯片的轉移方法中，所述感光膠層在所述第一激光照射之后的粘性，小于所述感光膠層在所述第一激光照射之前的粘性。

在上述微型發光二極管芯片的轉移方法中，所述感光膠層的制備材料包括聚酰亞胺類膠、丙烯酸酯類膠以及硅膠中的一種。

在上述微型發光二極管芯片的轉移方法中，所述過渡基板選自石英玻璃基板、藍寶石基板或硅基板中的一種。