[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法

在審

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• 申請日: 2022-04-21
• 公開（公告）號: CN114927456A
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李文濤
• 申請（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01L25/075
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 張惠

1.一種微型發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述方法包括：

采用感光膠層將微型發(fā)光二極管芯片粘接于透光的過渡基板上，所述微型發(fā)光二極管芯片包括第一連接電極，所述微型發(fā)光二極管芯片的所述第一連接電極位于所述微型發(fā)光二極管芯片遠離所述感光膠層的一側(cè)，所述感光膠層包括助焊劑；

提供一驅(qū)動基板，所述驅(qū)動基板包括多個第二連接電極；

將所述過渡基板移動至所述驅(qū)動基板的上方，且將所述微型發(fā)光二極管芯片的所述第一連接電極與所述第二連接電極對位，所述第一連接電極或/和所述第二連接電極上形成有焊接材料；

采用第一激光照射所述過渡基板上的所述感光膠層，以使所述微型發(fā)光二極管芯片從所述感光膠層上脫落，且使所述助焊劑揮發(fā)；

采用第二激光照射，以使所述焊接材料熔融，熔融的所述焊接材料在揮發(fā)的所述助焊劑的作用下，連接所述第一連接電極和所述第二連接電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述微型發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述第一激光的波長與所述第二激光的波長相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述微型發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述第一激光的波長大于或等于340納米且小于或等于360納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述微型發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述第一激光的波長與所述第二激光的波長不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述微型發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述焊接材料選自Au、Al、Cu、Sn、In以及Ti中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述微型發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述焊接材料為In或In合金。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述微型發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述感光膠層在所述第一激光照射之后的粘性，小于所述感光膠層在所述第一激光照射之前的粘性。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述微型發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述感光膠層的制備材料包括聚酰亞胺類膠、丙烯酸酯類膠以及硅膠中的一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述微型發(fā)光二極管芯片的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述過渡基板選自石英玻璃基板、藍寶石基板或硅基板中的一種。