[發明專利]單線雙線切割硅棒的方法、切割設備及切割系統

在審

• 申請號: 202210421496.4
• 申請日: 2022-04-21
• 公開（公告）號: CN114750311A
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 于文文;范國強;夏金玲;王葉蘭
• 申請（專利權）人: 青島高測科技股份有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/04;B24B9/06
• 代理公司: 北京科慧致遠知識產權代理有限公司 11739
• 代理人: 李瑞;宋珊珊

本申請實施例提供一種單線雙線切割硅棒的方法、切割設備及切割系統，其中，方法包括：沿著硅棒的長度方向通過一條切割線對硅棒進行切割，切割后形成第一側面，第一側面的寬度小于硅棒的直徑；沿著硅棒的長度方向通過兩條切割線對硅棒進行一次切割，切割后形成第二側面和第三側面，第二側面和第三側面均與第一側面垂直相交，且第二側面和第三側面分別位于硅棒中心線的兩側；沿著硅棒的長度方向通過兩條切割線對硅棒進行切割，形成的切割面與第一側面平行和/或垂直，得到兩個橫截面為矩形的小硅棒。本申請實施例提供的單線雙線切割硅棒的方法能夠直接得到尺寸較小的硅棒，經過切片形成硅片，滿足對小尺寸硅片的要求，且能提高成品率。

技術領域

本申請涉及硬質材料切割技術，尤其涉及一種單線雙線切割硅棒的方法、切割設備及切割系統。

背景技術

隨著異質結電池的發展，小片硅片的需求越來越大，而且對薄片的需求量也比較大。硅片厚度從原來180微米到150微米，將來的市場甚至可能需要100微米厚度硅片，而硅片越薄其切割難度就越大，切割質量越不容易保證。

傳統方案中，通常是先將圓柱形的單晶硅棒切割成方棒，然后將方棒切割成大片硅片，再采用激光技術上對大片硅片進行劃片切割形成小片硅片，但激光劃片的過程會造成小片硅片的橫斷面產生損傷和缺陷態，嚴重影響最終加工成的異質結電池的轉換效率。

發明內容

為了解決上述技術缺陷之一，本申請實施例中提供了一種單線雙線切割硅棒的方法、切割設備及切割系統。

根據本申請實施例的第一個方面，提供了一種單線雙線切割硅棒的方法，包括：

沿著硅棒的長度方向通過一條切割線對硅棒進行切割，切割后形成第一側面，第一側面的寬度小于硅棒的直徑；

沿著硅棒的長度方向通過兩條切割線對硅棒進行一次切割，切割后形成第二側面和第三側面，第二側面和第三側面均與第一側面垂直相交，且第二側面和第三側面分別位于硅棒中心線的兩側；

沿著硅棒的長度方向通過兩條切割線對硅棒進行切割，形成的切割面與第一側面平行和/或垂直，得到兩個橫截面為矩形的小硅棒。

根據本申請實施例的第二個方面，提供了一種應用如上單線雙線切割硅棒方法的切割設備，包括：

基座；

承載臺，設置于所述基座上，用于承載硅棒；

線切割裝置，設置于所述基座上，與承載臺可沿硅棒的長度方向相對移動；所述線切割裝置包括線輪支架及設置于線輪支架上的單線切割輪組和/或雙線切割輪組，所述單線切割輪組繞設有一條切割線，用于通過一條切割線對硅棒進行切割；所述雙線切割輪組繞設有兩條相互垂直或兩條相互平行的切割線，用于通過兩條切割線對硅棒進行切割。

根據本申請實施例的第二個方面，提供了一種單線雙線切割硅棒的切割系統，包括：

如上所述的切割設備；以及對硅棒進行磨削的磨削設備。

本申請實施例提供的技術方案，先沿著硅棒的長度方向通過一條切割線對硅棒進行切割，切割后形成第一側面，第一側面的寬度小于硅棒的直徑；然后沿著硅棒的長度方向通過兩條切割線對硅棒進行一次切割，切割后形成第二側面和第三側面，第二側面和第三側面均與第一側面垂直相交，且第二側面和第三側面分別位于硅棒中心線的兩側；再沿著硅棒的長度方向通過兩條切割線對硅棒進行切割，形成的切割面與第一側面平行和/或垂直，得到兩個橫截面為矩形的小硅棒。小硅棒的尺寸能更好地滿足異質結電池的需要，且無需采用激光對硅片進行切割，提高了硅片的成品率，進而保障異質結電池的轉換效率。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。在附圖中：