[發明專利]一種預穩壓的零電流損耗單管柵控電路有效
| 申請號： | 202210417802.7 | 申請日： | 2022-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN114815954B | 公開（公告）日： | 2023-02-24 |
| 發明（設計）人： | 柴常春;陳柯旭;宋博奇;李福星;秦英朔;孟祥瑞 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | G05F3/26 | 分類號： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 辛菲 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 穩壓 電流 損耗 單管柵控 電路 | ||
1.一種預穩壓的零電流損耗單管柵控電路，其特征在于，包括：后端電路和與所述后端電路電連接的一個MOSFET器件；
所述MOSFET器件的閾值電壓為零限值或者所述MOSFET器件為耗盡型；
采用所述MOSFET器件的柵電壓控制進行預穩壓為所述后端電路提供預穩壓電位；所述MOSFET器件為N型MOSFET器件或所述MOSFET器件為P型MOSFET器件；
所述MOSFET器件為N型MOSFET器件時：
所述MOSFET器件的柵極連接所述后端電路的產生的固定偏置電位，源極與襯底相連并連接至所述后端電路的輸入端，漏極連接電源電壓；
采用所述后端電路的電流對所述MOSFET器件進行偏置，當所述MOSFET器件的柵極電壓和偏置電流保持不變時，以確定所述MOSFET器件的柵極和源極的電壓差，輸出所述預穩壓輸入電位實現正柵控制預穩壓；或者
所述MOSFET器件的柵極和源極相連并連接至所述后端電路的輸入端，襯底連接地電位，漏極連接電源電壓；
采用所述后端電路的電流對所述MOSFET器件進行偏置，當所述MOSFET器件的柵極和源極的電壓差以及偏置電流保持不變時，以確定所述MOSFET器件的源極和襯底的電勢差，輸出所述預穩壓輸入電位實現背柵控制預穩壓；
所述MOSFET器件為P型MOSFET器件時：
所述MOSFET器件的柵極連接所述后端電路的產生的固定偏置電位，源極與襯底相連并連接所述后端電路的預穩壓地電位，漏極連接所述地電位；
采用所述后端電路的電流對所述MOSFET器件進行偏置，當所述MOSFET器件的柵極電壓和偏置電流保持不變時，輸出所述預穩壓地電位實現正柵控制預穩壓；或者
所述MOSFET器件的柵極和源極相連并連接所述后端電路的預穩壓地電位，襯底連接電源電壓，漏極連接所述地電位；
采用所述后端電路的電流對所述MOSFET器件進行偏置，當所述MOSFET器件的柵極電壓和偏置電流保持不變時，以確定源極和襯底的電勢差，輸出所述預穩壓地電位實現背柵控制預穩壓。
2.根據權利要求1所述的一種預穩壓的零電流損耗單管柵控電路，其特征在于，所述N型MOSFET器件為Native MOSFET器件或耗盡型MOSFET器件。
3.根據權利要求1所述的一種預穩壓的零電流損耗單管柵控電路，其特征在于，所述P型MOSFET器件的閾值電壓等于0或為耗盡型MOSFET器件。
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