[發明專利]一種聲表面波諧振器

在審

• 申請號: 202210410191.3
• 申請日: 2022-04-19
• 公開（公告）號: CN114866062A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 劉曉軍;余澤;馬陽陽;朱德進
• 申請（專利權）人: 天通瑞宏科技有限公司
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H03H9/145;H03H9/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 駱文欣

本發明實施例公開了一種聲表面波諧振器，包括：壓電基板；插指換能結構，位于壓電基板的一側；插指換能結構包括相對設置的兩個匯流條，以及并排設置在兩個匯流條之間的多個電極指；每個電極指交替電連接到匯流條中的一個匯流條；多個假指，每一假指對應位于一電極指末端與對側的匯流條之間；沿平行于匯流條的方向，假指的寬度等于電極條的寬度；在假指、電極指以及反射柵的柵格導體靠近壓電基板的一側、遠離壓電基板的一側，或者在假指、電極指以及反射柵的所在層設置有聲速突變結構；本結構通過在靠近假指、電極指以及反射柵的位置設置聲速突變結構，可有效的抑制橫向模式的同時，保證了諧振器的Q值。

技術領域

本發明實施例涉及聲表面波器件技術領域，尤其涉及一種聲表面波諧振器。

背景技術

在現代通信系統中，濾波器常被用來過濾目標通信頻段之外的不必要信號。聲表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)諧振器由于高Q值、體積小、高可靠性、易于大批量生產等優勢，已被廣泛應用于高頻濾波器設計。SAW一般由壓電基板、插指換能器(InterDigital Transducter，IDT)、反射柵組成，采用半導體工藝生產制備。

通常，SAW諧振器在激發主要波模的同時，會產生不需要的橫模，在SAW濾波器的頻率響應上，橫模會引入雜散響應，降低IDT的Q值，增加濾波器的插入損耗，對器件性能造成較大影響，這主要由于能量泄露引起，尤其在異質半導體薄膜中尤為突出。現有的橫模抑制方法，如在插指(電極指)對側的匯流條上增加dummy指(假指)，dummy的寬度和厚度一般與插指(電極指)保持一致，但是橫模抑制效果不佳。再比如dummy指加權的方法，雖然抑制橫模效果較好，但是可能會影響諧振器Q值，增大濾波器損耗。因此如何有效抑制SAW諧振器激發的橫模，一直是工程設計中的一大挑戰。

發明內容

本發明實施例提供了一種聲表面波諧振器，以有效抑制橫向模式的同時，保證諧振器的Q值。

本發明實施例提供了一種聲表面波諧振器，包括：

壓電基板；

插指換能結構，位于所述壓電基板的一側；所述插指換能結構包括相對設置的兩個匯流條，以及并排設置在兩個匯流條之間的多個電極指；每個電極指交替電連接到所述匯流條中的一個匯流條；

多個假指，每一假指對應位于一所述電極指末端與對側的匯流條之間；沿平行于匯流條的方向，所述假指的寬度等于所述電極條的寬度；

第一聲速突變結構，所述第一聲速突變結構位于所述假指遠離所述壓電基板的一側、所述假指靠近所述壓電基板的一側和所述假指所在層中的至少一處；沿平行于匯流條的方向，所述第一聲速突變結構的寬度大于所述假指的寬度。

可選的，所述第一聲速突變結構包括多個負載塊，每一負載塊對應位于一假指的末端；位于同一排假指末端的負載塊到對側電極指末端的距離相等。

可選的，所述第一聲速突變結構包括多個負載塊；每一負載塊在壓電基板的垂直投影對應與一假指在壓電基板的垂直投影部分重疊；位于同一排假指末端的負載塊到對側電極指末端的距離遞增或遞減。

可選的，所述第一聲速突變結構包括多個負載塊；每一負載塊在壓電基板的垂直投影對應與一假指在壓電基板的垂直投影部分重疊；位于同一排假指末端的負載塊到對側電極指末端的距離交替相等。

可選的，沿平行于匯流條的方向，每一負載塊的寬度小于或等于位于其兩側相鄰的兩個電極指之間的寬度。

可選的，所述第一聲速突變結構包括兩個負載條，兩個負載條相對設置，并均與所述匯流條平行；沿平行于所述匯流條的方向，所述負載條的寬度大于或等于所述匯流條的寬度。