[發明專利]一種聲表面波諧振器

在審

• 申請號: 202210410191.3
• 申請日: 2022-04-19
• 公開（公告）號: CN114866062A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 劉曉軍;余澤;馬陽陽;朱德進
• 申請（專利權）人: 天通瑞宏科技有限公司
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H03H9/145;H03H9/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 駱文欣

1.一種聲表面波諧振器，其特征在于，包括：

壓電基板；

插指換能結構，位于所述壓電基板的一側；所述插指換能結構包括相對設置的兩個匯流條，以及并排設置在兩個匯流條之間的多個電極指；每個電極指交替電連接到所述匯流條中的一個匯流條；

多個假指，每一假指對應位于一所述電極指末端與對側的匯流條之間；沿平行于匯流條的方向，所述假指的寬度等于所述電極條的寬度；

第一聲速突變結構，所述第一聲速突變結構位于所述假指遠離所述壓電基板的一側、所述假指靠近所述壓電基板的一側和所述假指所在層中的至少一處；沿平行于匯流條的方向，所述第一聲速突變結構的寬度大于所述假指的寬度。

2.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述第一聲速突變結構包括多個負載塊，每一負載塊對應位于一假指的末端；位于同一排假指末端的負載塊到對側電極指末端的距離相等。

3.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述第一聲速突變結構包括多個負載塊；每一負載塊在壓電基板的垂直投影對應與一假指在壓電基板的垂直投影部分重疊；位于同一排假指末端的負載塊到對側電極指末端的距離遞增或遞減。

4.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述第一聲速突變結構包括多個負載塊；每一負載塊在壓電基板的垂直投影對應與一假指在壓電基板的垂直投影部分重疊；位于同一排假指末端的負載塊到對側電極指末端的距離交替相等。

5.根據權利要求2～4任一所述的聲表面波諧振器，其特征在于，沿平行于匯流條的方向，每一負載塊的寬度小于或等于位于其兩側相鄰的兩個電極指之間的寬度。

6.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述第一聲速突變結構包括兩個負載條，兩個負載條相對設置，并均與所述匯流條平行；沿平行于所述匯流條的方向，所述負載條的寬度大于或等于所述匯流條的寬度。

7.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋在所述電極指和假指遠離所述壓電基板的一側，以及電極指和假指未覆蓋的壓電基板上；所述第一聲速突變結構位于所述鈍化層遠離所述壓電基板的一側；所述第一聲速突變結構的材料包括高分子涂敷材料。

8.根據權利要求7所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述第一聲速突變結構包括兩個負載層，每一所述負載層在所述壓電基板的上的垂直投影覆蓋對應的一假指區域；沿平行于所述匯流條的方向，所述假指區域的寬度大于或等于所述匯流條的寬度，沿垂直于所述匯流條的方向，所述假指區域的長度等于所述假指的長度。

9.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，還包括：

第二聲速突變結構，所述第二聲速突變結構位于所述電極指遠離所述壓電基板的一側、所述電極指靠近所述壓電基板的一側和所述電極指所在層中的至少一處；沿平行于匯流條的方向，所述第二聲速突變結構的寬度大于所述電極指的寬度；

一對反射柵，所述反射柵位于所述壓電基板與所述插指換能結構的同一側，并分別位于所述插指換能結構的相對兩側；

第三聲速突變結構，所述第三聲速突變結構位于所述反射柵遠離所述壓電基板的一側、所述反射柵靠近所述壓電基板的一側和所述反射柵所在層中的至少一處；沿平行于匯流條的方向，所述第三聲速突變結構的寬度大于所述反射柵半個周期的寬度。

10.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述壓電基板包括硅層以及依次形成在硅層上的多晶硅層、氧化硅層和鈮酸鋰晶體層。