[發(fā)明專利]一種功率模塊及車載功率電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210406560.1
• 申請(qǐng)日: 2022-04-18
• 公開（公告）號(hào): CN114975342A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳惠斌;王玉濤;劉海燕;陳松;尹中華;呂鎮(zhèn);王昭月;楊啟亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華為數(shù)字能源技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H05K1/18
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 高金金

1.一種功率模塊，其特征在于，包括：第一覆金屬層基板，位于所述第一覆金屬層基板一側(cè)的芯片，以及位于所述第一覆金屬層基板與所述芯片之間的第一釬料；

所述第一覆金屬層基板在朝向所述芯片一側(cè)的表面設(shè)有第一金屬層；

所述第一金屬層包括：在厚度方向貫穿所述第一金屬層的溝槽，以及阻擋部；

所述第一金屬層的第一厚度小于第二厚度，所述第一厚度為所述阻擋部中的至少部分區(qū)域的厚度，所述第二厚度為所述第一金屬層在除所述溝槽和所述阻擋部以外的區(qū)域的厚度；

所述阻擋部位于所述芯片與相鄰的所述溝槽之間，用于在所述第一釬料焊接所述芯片與所述第一覆金屬層基板時(shí)，阻止所述第一釬料溢出至所述溝槽。

2.如權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述阻擋部包括：朝向第一方向凹陷的至少一個(gè)凹陷結(jié)構(gòu)，所述第一方向?yàn)樗鲂酒赶蛩龅谝桓步饘賹踊宓姆较颉?/p>

3.如權(quán)利要求2所述的功率模塊，其特征在于，所述阻擋部包括一個(gè)所述凹陷結(jié)構(gòu)，所述凹陷結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸，所述第二方向?yàn)榕c所述阻擋部相鄰的所述芯片側(cè)邊的延伸方向。

4.如權(quán)利要求2所述的功率模塊，其特征在于，所述阻擋部包括多個(gè)所述凹陷結(jié)構(gòu)，所述阻擋部中的多個(gè)所述凹陷結(jié)構(gòu)排列為至少一排，所述凹陷結(jié)構(gòu)的排列方向?yàn)榈诙较颍龅诙较驗(yàn)榕c所述阻擋部相鄰的所述芯片側(cè)邊的延伸方向。

5.如權(quán)利要求2～4任一項(xiàng)所述的功率模塊，其特征在于，所述凹陷結(jié)構(gòu)的深度為所述第一金屬層的所述第二厚度的25％～75％。

6.如權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述阻擋部包括：至少一個(gè)臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)，每一個(gè)所述臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)包括至少一層臺(tái)階。

7.如權(quán)利要求6所述的功率模塊，其特征在于，所述阻擋部包括一個(gè)所述臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)，所述臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸，所述第二方向?yàn)榕c所述阻擋部相鄰的所述芯片側(cè)邊的延伸方向。

8.如權(quán)利要求6所述的功率模塊，其特征在于，所述阻擋部包括多個(gè)所述臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)，所述阻擋部中的多個(gè)所述臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)排列為至少一排，所述臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)的排列方向?yàn)榈诙较颍龅诙较驗(yàn)榕c所述阻擋部相鄰的所述芯片側(cè)邊的延伸方向。

9.如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的功率模塊，其特征在于，還包括：與所述第一覆金屬層基板相對(duì)設(shè)置的第二覆金屬層基板，以及位于所述第一覆金屬層基板與所述第二覆金屬層基板之間的互聯(lián)柱；

所述芯片位于所述第一覆金屬層基板與所述互聯(lián)柱之間；

所述芯片與所述互聯(lián)柱之間設(shè)有第二釬料，所述互聯(lián)柱與所述第二覆金屬層基板之間設(shè)有第三釬料。

10.一種車載功率電路，其特征在于，包括：如權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的功率模塊和電路板，所述電路板與所述功率模塊電連接；所述車載功率電路位于車載充電器或車載逆變器中，用于為電動(dòng)車輛提供功率轉(zhuǎn)換功能。