[發明專利]一種提高100單晶成活率的放肩方法

有效

• 申請號: 202210403758.4
• 申請日: 2022-04-18
• 公開（公告）號: CN114717648B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 閆龍;周文輝;王忠保
• 申請（專利權）人: 寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B15/22;C30B29/06
• 代理公司: 寧夏三源鑫知識產權代理事務所(普通合伙) 64105
• 代理人: 邢芳麗

本發明提供一種提高100單晶成活率的放肩的方法，屬于單晶爐提拉法生長單晶技術領域，根據預定拉速曲線進行晶棒拉制，以得到放肩肩型為等腰三角型的目標英寸晶棒，本發明通過預定拉速曲線進行晶棒拉制，使得放肩的肩型統一，且在放肩的過程中能夠避免肩型中出現四條隆起脊帶的概率，從而降低放肩的NG率。

技術領域

本發明涉及單晶爐提拉法生長單晶技術領域，具體涉及一種提高＜100＞單晶成活率的放肩方法。

背景技術

單晶制造是將硅料熔化，然后運用提拉技術將多晶轉換為無位錯單晶的過程，但是在多晶轉化為單晶的過程中因某些原因會產生位錯，則晶體失去單晶性質轉為多晶，此時長晶失敗(稱之為NG)。

現有技術中，在制備＜100＞晶向的單晶時，一般在＜100＞晶向放肩方法中，肩部可見四條由facet形成的隆起脊帶，導致＜100＞晶向的單晶放肩NG率高，尤其是重摻極低電阻率單晶的拉制表現尤為顯著。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種提高＜100＞單晶成活率的放肩方法，以解決現有技術中＜100＞晶向放肩方法會產生四條由facet形成的隆起脊帶，導致放肩NG 率的技術問題。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種提高＜100＞單晶成活率的放肩方法，根據預定拉速曲線進行晶棒拉制，以得到放肩肩型為等腰三角型的目標英寸晶棒。

優選地，所述預定拉速曲線通過以下步驟得到，具體步驟如下：

步驟一：根據目標英寸單晶的直徑D及放肩肩型夾角α，得到放肩高度H；

步驟二：根據目標英寸單晶的直徑D及放肩的高度H進行放肩，調整放肩肩型，以使放肩肩型為等腰三角形，得到校正后的放肩高度H’；

步驟三：根據目標英寸單晶的直徑D及校正后的放肩高度H’進行放肩，得到預定拉速曲線。

優選地，所述步驟三還包括以下步驟：

S1：根據目標英寸單晶的直徑D及校正后的放肩高度H’進行放肩，得到預定拉速的上限曲線及預定拉速的下限曲線；

S2：根據預定拉速的上限曲線及預定拉速的下限曲線，擬合得到預定拉速曲線。

優選地，所述步驟一中，放肩肩型夾角α≦72.32°。

優選地，所述步驟二中，在放肩前引晶時不進行摻雜。

優選地，所述步驟三中，在放肩前引晶時正常摻雜。

優選地，所述步驟二：所述放肩高度H通過以下式子得到：

H＝D/2tan(α/2)。

與現有技術相比，本發明的有益效果在于：

本發明通過預定拉速曲線進行晶棒拉制，使得放肩的肩型統一，且在放肩的過程中等腰三角型的肩型能夠避免肩型中出現四條隆起脊帶的概率，從而降低放肩的NG率。

附圖說明

圖1是實施例一目標拉速的上限曲線及目標拉速的下限曲線圖。

圖2是實施例一目標拉速曲線。

圖3是實施例一放肩肩型圖。

圖4是對比例一放肩肩型圖。

圖5實施例一與對比例一平均DIP對比圖。

具體實施方式

以下結合本發明的附圖，對本發明的技術方案以及技術效果做進一步的詳細闡述。