[發(fā)明專利]一種用于層狀單晶樣品退孿晶的裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210401544.3 | 申請日： | 2022-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN114839009B | 公開（公告）日： | 2023-02-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉瑞鮮;魯興業(yè) | 申請（專利權(quán)）人： | 北京師范大學(xué) |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N1/36;G01N23/20025;G01N23/2055;G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 王喆 |
| 地址： | 100089 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 層狀 樣品 退孿晶 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供一種用于層狀單晶樣品退孿晶的裝置及方法，該裝置包括：具有內(nèi)腔的金屬外框；以及位于金屬外框內(nèi)腔中的金屬片；所述金屬片的兩端與金屬外框固定；所述金屬外框的熱膨脹系數(shù)小于金屬片的熱膨脹系數(shù)；所述金屬片被配置為用以承載固定樣品，在低溫環(huán)境下，由于金屬外框與金屬片的熱膨脹系數(shù)差異，金屬片受到拉力并將拉伸應(yīng)變傳遞給樣品。該裝置不僅可以實現(xiàn)單晶樣品退孿晶，還可以將剩余的單軸應(yīng)變傳遞給單晶樣品，使得樣品在退孿晶的基礎(chǔ)上具有一定的單軸應(yīng)變。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及金相顯微分析技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，涉及一種用于層狀單晶樣品退孿晶的裝置及方法。
背景技術(shù)
對于大多數(shù)鐵基超導(dǎo)體而言，隨著溫度降低，體系會經(jīng)歷從四方相(tetragonalphase,aT＝bT)到正交相(orthorhombicphase,aobo)的結(jié)構(gòu)相變(TTS)，二者單胞基矢夾角呈45°。研究表明，結(jié)構(gòu)相變后鐵基超導(dǎo)體中形成兩組對稱的孿晶晶疇結(jié)構(gòu)，這一晶疇沿四方相的(100)和(010)方向在樣品ab面內(nèi)以規(guī)則的條紋狀相互平行或垂直排列；沿c方向則可延伸到整塊樣品，而不受樣品表面缺陷等影響；若樣品質(zhì)量較高，則孿晶疇壁光滑且規(guī)則，間距大約10微米，如圖1、圖2所示。
鐵基超導(dǎo)體中，超導(dǎo)電性、電阻各項異性等物理現(xiàn)象的起源仍缺乏較為統(tǒng)一的理論解釋。而孿晶現(xiàn)象的存在阻礙了研究者對體系中本征磁性、電阻等性質(zhì)的研究[2-3]。例如，孿晶現(xiàn)象的存在，導(dǎo)致TTS在結(jié)構(gòu)峰(020)o的位置處既有(020)o的貢獻也有(200)o貢獻。在實驗中，研究和發(fā)展較為成熟的退孿晶方法顯得尤為重要。目前，通過施加單軸機械應(yīng)力實現(xiàn)尺寸較大(厘米量級)的、塊狀單晶樣品的退孿晶工藝已相對成熟但同時伴隨有來自退孿晶裝置的巨大背景信號。而實驗研究中仍缺少相對成熟的可以給尺寸較小的(毫米量級)、層狀單晶樣品退孿晶的方法。
以鐵基超導(dǎo)體中層狀單晶樣品，F(xiàn)eSe(TS＝90K)為例，該樣品的基本尺寸是2*2*0.05mm3。研究者已采用不同的實驗手段研究了孿晶態(tài)FeSe單晶的磁性、電阻等信息。而受限于退孿晶技術(shù)的發(fā)展，F(xiàn)eSe單晶中本征物性有待進一步研究。基于此，我們發(fā)明并設(shè)計了一種新的可用于層狀單晶樣品退孿晶的裝置，并采用多種實驗手段證實了該裝置的實用性與可行性。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題，本發(fā)明提供一種用于層狀單晶樣品退孿晶的裝置以解決采用傳統(tǒng)的機械加壓方式無法對尺寸較小(毫米量級)的層狀單晶樣品退孿晶的問題。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：
本發(fā)明提供一種用于層狀單晶樣品退孿晶的裝置，包括：
具有內(nèi)腔的金屬外框；以及
位于金屬外框內(nèi)腔中的金屬片；
所述金屬片的兩端與金屬外框固定；
所述金屬外框的熱膨脹系數(shù)小于金屬片的熱膨脹系數(shù)；
所述金屬片被配置為用以承載固定樣品，在低溫環(huán)境下，由于金屬外框與金屬片的熱膨脹系數(shù)差異，金屬片受到拉力并將拉伸應(yīng)變傳遞給樣品。
此外，優(yōu)選地方案是，所述金屬片包括中間區(qū)，位于中間區(qū)兩端的兩個過渡區(qū)，以及兩個分別形成于兩個過渡區(qū)的遠離中間區(qū)一端的用以與金屬外框結(jié)合固定的固定區(qū)；
所述過渡區(qū)的兩側(cè)邊部朝向中間區(qū)逐漸變窄。
此外，優(yōu)選地方案是，所述中間區(qū)與過渡區(qū)的連接處及過渡區(qū)與固定區(qū)的連接處均包括弧形過渡部。
此外，優(yōu)選地方案是，所述中間區(qū)的兩側(cè)邊部呈直邊；
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