[發明專利]發光二極管元件以及發光二極管電路

在審

• 申請號: 202210392697.6
• 申請日: 2022-04-14
• 公開（公告）號: CN114937679A
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 李俊雨;吳仰恩;蘇松宇;王賢軍;王雅榕;謝嘉定;黃建富;林欣瑩
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;G09G3/32
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本公開內容提供一種發光二極管元件以及發光二極管電路，發光二極管元件包含基體以及多個P?N二極管結構。P?N二極管結構彼此串聯耦接并整合在基體上。P?N二極管結構包含多個P型摻雜層以及多個N型摻雜層。P?N二極管結構中第一P?N二極管結構的P型摻雜層電性耦接P?N二極管結構中相鄰第一P?N二極管結構的第二P?N二極管結構的N型摻雜層。

技術領域

本公開涉及一種發光二極管元件以及發光二極管電路，特別涉及一種包含多個P-N二極管結構的發光二極管元件以及發光二極管電路。

背景技術

在市面上一般的主動矩陣式(active matrix)微發光二極管(micro lightemitting diode，micro LED)顯示器中，通常以驅動電路或晶體管來驅動僅具有一個二極管結構的發光二極管元件，但如此驅動方式可能導致較高的功率消耗。此外，當發光二極管元件損壞而無法發光時，必須將整個元件替換，如此對顯示器設計者及消費者造成額外的成本。

發明內容

本公開的一實施例提供一種發光二極管元件，包含基體以及多個P-N二極管結構。P-N二極管結構彼此串聯耦接并橫向地相鄰配置而整合在基體上。P-N二極管結構包含多個P型摻雜層以及多個N型摻雜層。P型摻雜層在基體上相對于N型摻雜層配置。P-N二極管結構中第一P-N二極管結構的P型摻雜層電性耦接P-N二極管結構中相鄰第一P-N二極管結構的第二P-N二極管結構的N型摻雜層。

本公開的另一實施例提供一種顯示裝置中的發光二極管電路，包含多個晶體管以及發光二極管元件。晶體管的第一端彼此電性耦接且用以接收第一參考電壓。發光二極管元件電性耦接于晶體管與第二參考電壓之間，發光二極管元件包含多個P-N二極管，P-N二極管彼此串聯耦接且整合于單一的芯片上。晶體管用以驅動發光二極管元件進行發光，晶體管中每一者的第二端電性耦接P-N二極管中對應一者的陽極。

附圖說明

圖1為根據本公開一些實施例的顯示裝置中的發光二極管電路的示意圖。

圖2為根據本公開一些實施例的發光二極管元件的結構示意圖。

圖3A為根據本公開一些實施例的發光二極管元件的示意圖。

圖3B為根據本公開一些實施例的圖3A中發光二極管元件的截面圖。

圖4A為根據本公開一些實施例的發光二極管元件的示意圖。

圖4B為根據本公開一些實施例的圖4A中發光二極管元件的截面圖。

圖5為根據本公開一些實施例的顯示裝置中的發光二極管電路的示意圖。

圖6為根據本公開一些實施例的圖5中發光二極管電路的局部示意圖。

圖7A為根據本公開一些實施例的圖5發光二極管電路操作于發光期間的示意圖。

圖7B為根據本公開一些實施例的圖5發光二極管電路操作于發光期間的示意圖。

附圖標記說明：

VDD：參考電壓

t1：晶體管

120：發光二極管元件

i1：電流

d1：P-N二極管結構

d2：P-N二極管結構

VSS：參考電壓

220：發光二極管元件

320：發光二極管元件

D1～Dn：P-N二極管結構

P1～Pn：電極墊