[發(fā)明專利]發(fā)光二極管元件以及發(fā)光二極管電路

在審

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• 申請日: 2022-04-14
• 公開（公告）號: CN114937679A
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李俊雨;吳仰恩;蘇松宇;王賢軍;王雅榕;謝嘉定;黃建富;林欣瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;G09G3/32
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種發(fā)光二極管元件，包含：

一基體；以及

多個P-N二極管結(jié)構(gòu)，彼此串聯(lián)耦接并橫向地相鄰配置而整合在該基體上；

其中該些P-N二極管結(jié)構(gòu)包含多個P型摻雜層以及多個N型摻雜層，該些P型摻雜層在該基體上相對于該些N型摻雜層配置；

其中該些P-N二極管結(jié)構(gòu)中一第一P-N二極管結(jié)構(gòu)的該P(yáng)型摻雜層電性耦接該些P-N二極管結(jié)構(gòu)中相鄰該第一P-N二極管結(jié)構(gòu)的一第二P-N二極管結(jié)構(gòu)的該N型摻雜層。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管元件，進(jìn)一步包含：

多個第一電極墊，電性耦接該些P-N二極管結(jié)構(gòu)中對應(yīng)的該些P型摻雜層；以及

多個第二電極墊，電性耦接該些P-N二極管結(jié)構(gòu)中對應(yīng)的該些N型摻雜層；

其中該些第二電極墊中的一第m個第二電極墊電性耦接該些第一電極墊中的一第(m+1)個第一電極墊，m為大于1的正整數(shù)。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管元件，其中該些第一電極墊中的相鄰二者彼此間隔約3～300微米，該些第二電極墊中的相鄰二者彼此間隔約3～300微米。

4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管元件，其中該些第一電極墊及該些第二電極墊皆外露而作為獨(dú)立的電極。

5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管元件，其中該些P型摻雜層配置于該些N型摻雜層與該基體之間，且該些P-N二極管結(jié)構(gòu)中任兩相鄰P-N二極管結(jié)構(gòu)的其中一者的該P(yáng)型摻雜層通過一互連結(jié)構(gòu)電性耦接另一者的該N型摻雜層。

6.一種顯示裝置中的發(fā)光二極管電路，包含：

多個晶體管，該些晶體管的第一端彼此電性耦接且用以接收一第一參考電壓；以及

一發(fā)光二極管元件，該發(fā)光二極管元件電性耦接于該些晶體管與一第二參考電壓之間，該發(fā)光二極管元件包含多個P-N二極管，該些P-N二極管彼此串聯(lián)耦接且整合于單一的一芯片上；

其中，該些晶體管用以驅(qū)動該發(fā)光二極管元件進(jìn)行發(fā)光，該些晶體管中每一者的第二端電性耦接該些P-N二極管中對應(yīng)一者的陽極。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管電路，其中：

當(dāng)該些晶體管中一第m個晶體管的柵極端接收一柵極驅(qū)動信號時，該第m個晶體管用以傳送該第一參考電壓至該些P-N二極管中的一第m個P-N二極管，以使該第m個P-N二極管至一第n個P-N二極管發(fā)光，m及n皆為大于1的正整數(shù)，m小于或等于n。

8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管電路，其中：

當(dāng)該些P-N二極管中的一第m個P-N二極管損壞時，該些晶體管中一第(m+1)個晶體管的柵極端用以接收一柵極驅(qū)動信號，該第(m+1)個晶體管用以傳送該第一參考電壓至該些P-N二極管中的一第(m+1)個P-N二極管。

9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管電路，其中該些晶體管用以響應(yīng)于多個不同的柵極驅(qū)動信號按序?qū)ǎ则?qū)動該些P-N二極管中的至少一者發(fā)光。

10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管電路，其中該發(fā)光二極管元件包含多個電極墊，該些電極墊中的每一者電性耦接于該些P-N二極管中對應(yīng)一者的陰極或陽極與該些晶體管中對應(yīng)一者之間，該些電極墊外露而作為獨(dú)立的電極。